读写速度更快，产品功耗更小，芯天下推出高性能NOR Flash XT25F128F系列芯片

NOR Flash是市面上两种主流的闪存技术之一，其具有地址线和数据线分开的特性，不必再把代码读到系统RAM中，应用程序可以直接在NOR上运行。同时，NOR Flash具有极快的读取速度、可靠性高、寿命长、无需驱动易于使用的特点，NOR Flash在物联网、AMOLED屏幕、智能穿戴、TWS耳机等领域有着广泛地运用。

芯天下技术股份有限公司是一家专业从事代码型闪存芯片研发、设计和销售的高新技术企业。提供从1Mbit-8Gbit宽容量范围的代码型闪存芯片，是业内代码型闪存芯片产品覆盖范围较全面的厂商之一。

本次芯天下推出的高性能55nm 3.3V 128Mb SPI NOR XT25F128F系列产品广泛应用到智能穿戴、工业医疗、智能安防、网络通讯、电脑周边等领域。本篇文章我爱音频网与大家分享芯天下新推出的这款产品。

电压：3.3V

容量：128Mbit

封装：SOP8 208mil, WSON8 6*8mm

读取：133MHz, 支持DTR读

线宽：Single/Dual/Quad

温度：-40°C~85°C & -40°C~105°C

超快读速度

支持单线/双线/四线读取，读取速度达到133MHz，四线指令传输速率高达532Mbits/s。DTR 模式下读取速度达到104MHz，四线DTR指令传输速率高达832Mbits/s，极大提升系统访问速度。

提升烧录和系统运行效率

1、页编程（Page Program）时间为0.4ms，提升烧录效率。

2、扇区擦除（Sector Erase）时间为40ms，32KB块擦除（Block Erase）时间为0.15s，64KB块擦除（Block Erase）时间为0.25s。全片擦除（Chip Erase）时间为30s。

3、写状态寄存器（Write Status Register）仅需1ms，在频繁设置区域保护与解保护、切换单4、双四线等操作时节省大量时间，提升系统运行效率。

*以上数据为典型值

超低功耗

XT25F128F在Deep Power Down 模式下，电流典型值为0.5uA，适配对功耗敏感、需长时间待机的穿戴等便携式应用。

更多功能亮点

1. 支持I/O驱动能力的灵活调整，适配更多应用场景的硬件设计。

2. 支持先进的独立扇区/块保护（Advanced Sector/Block Protection），对数据进行更精准的保护。

芯天下将参加本次【2022（夏季）亚洲智能穿戴展】，展位号为：C55，届时将带来最新的产品、技术与服务，欢迎行业伙伴前来大会现场与芯天下更进一步交流分享市场资讯。

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