SuperPatent为专利茶馆公众号主导栏目，目标是通过专利茶馆专业评审团检索及评选出全球超级专利，并通过专利档案、专利特点、专利启示等相关内容展示全球超级专利的独有特征，让科技创造者认识专利、应用专利、创造专利。发明名称：Semiconductor power devices with alternating conductivity type high-voltage breakdown regions（翻译：具有交替导电型高压击穿区半导体功率器件）摘要：一种半导体功率器件，其中跨越p+区和n+区的反向电压由复合缓冲层(简称为CB层)维持。所述复合缓冲层(简称为CB层)包括: CB层包含具有相反导电类型的两种半导体区域。从平行于层本身与n+(或p+)-区域之间的界面的任何横截面来看，这两种区域交替排列。而迄今为止所使用的电压维持层在相同的截面图中仅包含一种具有单一导电类型的半导体。本发明还提供了设计指南。本发明的CB层的单位面积导通电阻RON与击穿电压VB的关系是RON OCVB113，它代表了对传统的电压维持层的突破，而功率器件的其它性能几乎保持不变。被12个国家或地区、近308个申请主体的专利所引证！专利被引证量前十的申请人如下：fairchild semiconductor corporation、fuji electric co ltd、infineon technologies ag、third dimension (3d) semiconductor inc、infineon technologies austria ag、kabushiki kaisha toshiba、general semiconductor inc、icemos technology ltd、siemens ag、denso corporation。先后转让给了两家公司：动力莫斯非特技术有限责任公司（POWER MOSFET TECHNOLOGIES, L.L.P.）、三维半导体股份有限公司（Third Dimension Semiconductor, Inc.）该专利在中国首次提出的申请文件文本是由中国国际贸易促进委员会专利商标事务所提供的代理，高质量的专利文本也为后续专利授权及技术转化提供了坚实的基础。另外，其实我国大学不乏好的研究成果，不仅要有技术保护的意识，更要有全球化技术保护的意识。该专利的发明人为陈星弼院士，陈院士具有非常前瞻性的专利技术保护及运营意识，在90年代初我国专利事业尚处于初级发展阶段的时代，陈院士不仅很好的做好了技术研究，更很好的做好了技术保护，而且是全球性的技术保护。可见，做好技术研究是基础，做好专利保护是关键，如何能够有效的应用专利技术，如何能够做到“墙内开花内外香”，才是大学科研的根本目标。注：该专利的发明人为陈星弼院士是国际著名微电子学家，被誉为“中国功率器件领路人”。中国科学院院士，九三学社社员，教授、博士生导师，是我国第一批学习及从事半导体科技的人员之一，是电子部“半导体器件与微电子学”专业第一个博士生导师且得到第一个博士点。他是国际半导体界著名的超结结构（Super Junction）的发明人，也是国际上功率器件的结终端理论的集大成者。推 荐 阅 读
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