跨入10nm级！首颗国产DDR4内存芯片曝光

导读：2月25日，合肥长鑫存储官网正式公布“首颗国产DDR4内存芯片”，同时搭载该芯片的DDR4模组也正式曝光。

图：DDR4 内存芯片（来源：长鑫存储）

该芯片单颗容量为8Gb（即1GB）速率2666Mbps，工作电压1.2V，与市面上主流桌面PC和笔记本内存颗粒参数接近，芯片大师猜测应为此前长鑫宣布试产的10nm级工艺——初代为19nm。DDR4模组即常说的内存条，这次一同曝光的单条内存容量为8GB，长鑫强调其为自主开发设计和原厂内存颗粒，可以视为RAM芯片设计、晶圆制造和PCB模组均为长鑫独立完成。

芯片大师2019年9月份曾报道合肥长鑫：DRAM工艺已提升至10nm级别，长鑫存储已经开始使用19nm制造技术生产DDR4内存。目前，该公司已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图，包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5内存。

图：DDR4 8GB 内存模组（来源：长鑫存储）

不仅如此，在现有的一座12寸晶圆厂基础上，长鑫存储还计划再建两个晶圆厂来提高产量并计划在未来生产所有类型的DRAM。

长鑫的DRAM内存技术来源主要是已破产的奇梦达公司，长鑫董事长朱一明介绍，通过整体收购和专利授权等方式，长鑫从奇梦达获得了一千多万份DRAM技术文件及2.8TB的数据，在此基础上改进、研发自主产权的内存芯片，耗资超过25亿美元。同时，朱一明是国内最大NOR Flash厂商兆易创新（GD）的创始人。

图：2019年12月长鑫购入奇梦达专利（来源：长鑫存储）

长鑫主攻的DRAM是全球存储器市场最大的一块蛋糕，占存储器产值的52%，全球年产值约为746亿美元，最大的厂商为三星和美光，美韩企业全球市场份额合计为94.8%；NAND占存储器产值的45%，全球年产值为645亿美元，最大厂商为SK 海力士、三星、美光和西数（WD），美韩企业全球市占率为81.4%。

全球存储器格局请见3张图搞懂：为什么中国一定要做存储器？

国内存储器领域主要厂商有，DRAM：紫光国芯、芯成半导体（ISSI）、合肥长鑫；NAND：长江存储，NOR：兆易创新（GD）。其中，紫光国芯、长江存储和合肥长鑫被称为“存储器国家队”，紫光品牌的内存颗粒、内存条、SSD产品2019年均已面世。存储器控制芯片（主控）：华为海思、国科微、珠海建荣、联芸科技、北京忆芯等。

以下为国内存储器企业的不完全统计数据。

来源：芯片大师研究院【中国芯片地图（2019）】

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