沟槽式的意思就是在记忆体上往下挖,以达到更大的储存空间,而堆栈式顾名思义就是在记忆体上面往上堆,以获得更大的存储空间。沟槽式遇到的技术瓶颈,会比堆栈式的快,显然,奇梦达也发现了这个情况,随后,便开始了新技术的研发。2008年2月2日,在IEDM2008大会上,奇梦达提交了名为《6F2 buried wordline DRAM cell for 40nm and beyond》的论文,正式提出了基于40nm级(实际是46nm)的埋入式字线技术(Buried Wordline),这是一种基于“沟槽式技术”的技术变种,实现方式类似于堆栈式技术。这一技术再一次成为了DRAM芯片发展史上的重要技术节点之一,奇梦达重新将DRAM芯片技术定义为“埋入式”和“堆栈式”。4月22日,奇梦达与华邦(Winbond)签订65nm 埋入式技术DRAM芯片技术移转协议,该项协议的重要内容便是将奇梦达近期发表的埋入式DRAM芯片技术在后期的发展中纳入到华邦以后的生产中,并取代之前的58nm制程技术。此时,基于埋入式技术的46nm制程工艺的开发已经完成,但是,危机已经来临。8月12日,华邦与奇梦达再次签署协议,不过这次签署的是《无力清偿程序和解合约》,协议显示,梦达公司并同意放弃于其无力清偿程序中得对华邦电子所为之主张,华邦电子也同意不继续参与奇梦达公司之无力清偿程序。更重要的是,华邦获得了奇梦达遗留的46nm技术,依靠这一技术,华邦在2011年12月开发并量产了46nm的DRAM芯片。之后,由于与尔必达的合作,华邦放弃了DRAM标准件的生产,转入到消费级DRAM产品的持续开发中去,直到2017年6月,华邦才将DRAM芯片提升到38nm,之后再无进展。