【学术视频】第13届全国分子束外延学术会议 | 中科院物理所陈弘研究员
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图 | 陈弘
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报告摘要
报告首先介绍了pn结作用下量子阱光吸收和载流子输运特性的研究，证明量子阱带间跃迁可以用于光转电器件的应用。直接观察到量子阱的光生载流子的输运过程。研究了InGaAs/GaAs, InAsSb/GaSb量子阱带间跃迁红外探测器的特性。个人简介
陈弘，1984年获得西安交通大学电子工程系半导体器件专业学士学位，1992年在中国科学院物理研究所获得博士学位，1992年至今从事分子束外延和MOCVD半导体材料生长及结构与物性研究。1996年-1997年在香港科技大学访问工作，从事电镜研究。在国外主要刊物上发表论文70多篇，申请专利20多项。现为物理所新型化合物半导体材料和物性研究课题组长。其主要的研究方向为GaN基材料的MOCVD生长及物性研究，GaN基材料在发光二极管、激光器、紫外探测器、微电子方面的应用研究，GaAs基、SiGe材料的MBE材料生长和物性研究。会议简介
全国分子束外延学术会议是每两年举办一次的全国性学术会议。会议的宗旨是展示我国在分子束外延（MBE）及其相关领域的新进展、新动态、新成果，交流和探讨我国分子束外延发展中存在的问题和未来的发展方向，拓宽分子束外延的应用领域，为我国从事分子束外延技术以及相关材料和器件研究的科研人员提供相互了解和交流的机会，同时也为分子束外延相关的上下游产业提供信息沟通和宣传的渠道，从而促进我国分子束外延技术及其相关领域科学技术的发展。 本届会议由中国有色金属学会半导体材料学术委员会和中国电子学会电子材料分会共同主办，中国科学院半导体研究所承办，于 2019年8月14-17号在中国烟台市召开。
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