【学术视频】纪念黄昆先生诞辰一百周年暨半导体学科发展研讨会 | 中科院半导体研究所牛智川研究员

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图 | 牛智川

题   目：第四代半导体锑化物窄带隙低维材料与器件技术

报告人：牛智川

单   位：中国科学院半导体研究所

时   间：2019-09-02

地   点：北京西郊宾馆

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报告提纲

在智能化、新能源、物联网等各类新技术持续发展需求的驱动下，半导体技术迭代的速度不断加快。在第一代硅/锗半导体，第二代砷化镓/磷化铟半导体以及第三代的氮化镓/碳化硅半导体技术获得极大发展之后，新一代的锑化物半导体、超宽带氧化物以及碳基等各类二维晶体材料新体系迅猛涌现。其中，以锑化物半导体为代表的第四代技术呈现突破趋势，其特有超宽谱段红外特性使其成为实现高性能低成本红外光电器件的重大变革性体系。近年来锑化物半导体研究受到高度重视，国内外的一系列重大突破使其迅速成长为各国优先发展的核心敏感技术。本报告介绍了近年来第四代半导体锑化物低维材料和关键器件技术的发展现状和态势，概述了我国锑化物半导体基础研究历程，报告了低维材料的外延生长、综合表征的创新方法、量子阱激光器及超晶格探测器核心技术的突破成果。基于目前锑化物技术可靠性分析和国际上基于锑化物技术装备应用发展重大计划，提出了锑化物半导体技术从实验室走向应用的全链条发展设想。

个人简介

牛智川，中科院半导体研究所博士学位，90年代曾留学德国、美国等。中科院人才计划择优支持、“国家杰青”、“新世纪百千万人才工程国家级人选首批”、“国务院政府特殊津贴”；现任中科院半导体所研究员，博导，锑化物半导体研究中心主任，国科大材料学院量子光电子学首席教授。南京国科半导体研究院院长。长期从事新型半导体低维材料与光电器件和量子器件研究。主持国家重点研发计划量子调控专项，国家自然科学基金重大项目，国家重大科学研究计划纳米专项等数十项研究任务。在半导体量子点单光子量子光源器件、光通信波段量子点/量子阱激光器、第四代锑化物半导体红外器件方面获得一系列重要成果。曾在Nature及其子刊、Adv. Materials, Phys. Rev. Lett., Nano Lett., Nanoscale, Appl. Phys. Lett.等期刊发表SCI论文300余篇，研究成果多次被III-Vs Review, Compound Semiconductor, Technique Insights, Laser Focus World等专题报道。曾获北京市自然科学技术二等奖、中国电子学会自然科学一等奖等。

会议简介

黄昆先生（1919-2005）是国际著名的物理学家，是中国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一。2019年是世界著名物理学家、中国固体物理学和半导体物理学奠基人之一黄昆先生诞辰100周年。黄昆先生曾在中国科学院半导体研究所和北京大学工作，并曾兼任中国物理学会理事长。为了纪念黄昆先生，中国科学院半导体研究所、北京大学、中国物理学会和九三学社联合举办“纪念黄昆先生诞辰100周年暨半导体学科发展研讨会”，纪念他对科学与教育事业的贡献，缅怀他的高尚品格和道德情操，学习他严谨求实的治学态度和实事求是的精神，并研讨当前半导体科技的新进展。

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