【学术视频】第13届全国分子束外延学术会议 | 南京大学赵亚飞博士
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图 | 赵亚飞
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报告摘要
三维拓扑绝缘体是一类新型的量子材料，具有体绝缘性和受时间反演保护的狄拉克型的金属表面态。这些独特的性质使得拓扑绝缘体在低功耗电子器件和自旋电子学等领域引起了广泛的关注。通过打破时间反演保护而在拓扑绝缘体中引入磁性能够实现量子反常霍尔效应(QAHE)、半量子化霍尔电导、磁阻开关效应、巨磁光克尔效应等新的物理现象。本报告主要介绍了Cr掺杂对Bi₂Te₃能带结构和载流子动力学的调制作用。包括：1)利用分子束外延（MBE）生长了不同Cr浓度掺杂的Bi₂Te₃，通过反射高能电子衍射（RHEED）和原子力显微镜（AFM）测试表明制备了高质量的薄膜；2) 电输运测量结果表明磁导率随Cr掺杂浓度的增加呈现出从弱反局域化（WAL）效应到弱局域化（WL）效应的转变；3) 角分辨光电子能谱（ARPES）证明了Cr掺杂打开了Bi₂Te₃受时间反演保护的表面态，并且打开的能带间隙值随着Cr掺杂浓度的增加而增加；4) Cr掺杂增加了自由电子的弛豫时间，这对调控自旋电子器件的性能来说至关重要。
个人简介
赵亚飞，南京大学电子科学与工程学院博士后。2013年本科毕业于长春大学应用物理学专业。2016年硕士毕业于中国计量大学材料科学与工程专业。2019年博士毕业于南京大学电子科学与技术专业。2019年7月开始在南京大学电子科学与工程学院从事博士后工作，主要从事二维材料的理论模拟、生长和能带结构测量。目前，在ACS Nano, Journal of Materials Chemistry A, Journal of Physical Chemistry C, Applied Surface Science, Applied Physics Letters, Molecular Catalysis等SCI期刊发表论文30余篇，其中第一作者论文10余篇。
会议简介
全国分子束外延学术会议是每两年举办一次的全国性学术会议。会议的宗旨是展示我国在分子束外延（MBE）及其相关领域的新进展、新动态、新成果，交流和探讨我国分子束外延发展中存在的问题和未来的发展方向，拓宽分子束外延的应用领域，为我国从事分子束外延技术以及相关材料和器件研究的科研人员提供相互了解和交流的机会，同时也为分子束外延相关的上下游产业提供信息沟通和宣传的渠道，从而促进我国分子束外延技术及其相关领域科学技术的发展。 本届会议由中国有色金属学会半导体材料学术委员会和中国电子学会电子材料分会共同主办，中国科学院半导体研究所承办，于 2019年8月14-17号在中国烟台市召开。
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