【今日直播】米格实验室呈献：芯片仿真设计（第三讲，下午3点）

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半导体产业作为极具战略性，基础性和先导性的产业,无论是在基础民生，还是国防军工领域都发挥着重要的作用，是现代信息化社会的基石。然而，面对研发成本极高且更新换代较快的半导体产业，如何在较短的研发周期内，以较低的研发成本制备出高效的产品来抢占市场先机就显得尤为重要。芯片仿真设计技术能够帮助研究人员打破实验探究瓶颈，优化芯片结构参数，再现器件内部工作机制，揭示芯片物理机理，同时还可以缩短研发周期，节省实验研究成本。天津赛米卡尔科技有限公司是国内首家专业从事于半导体芯片设计及分析检测的高科技企业，是加拿大Crosslight公司授权合作的顶级服务公司。依托全球领先的半导体器件及工艺仿真平台，来自于国内外知名院校及研发机构的赛米卡尔技术团队在半导体芯片领域深耕数年，积累了丰富的研发经验。本次直播课，赛米卡尔技术团队将就目前热门的半导体芯片器件，包括UVC LED、UV PD以及HEMT，分享宝贵的仿真设计经验，旨在助力产业省时省力省财地制备高效的器件。

本课程共分为三讲：

第三讲：打好芯片制备第一枪-HEMT芯片的仿真设计

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题目：打好芯片制备第一枪-HEMT芯片的仿真设计（第三讲）

主讲人：贾兴宇（天津赛米卡尔科技有限公司）

时间：2020年2月22日下午三点
主办方：米格实验室

课程介绍

现如今，各种电力电子器件已经深入我们日常生活，承担着电能控制与变换的功能。HEMT作为电力电子器件中重要的组成部分，凭借其出色的电气特性得到广泛研究与应用，然而受到当前工艺水平的限制，HEMT器件仍然面临诸多问题，无法完全发挥其理论性能。

本课程旨在基于Crosslight设计平台，进行HEMT芯片架构的设计，助力企业制备高性能HEMT器件。为此，本课程将具体展示APSYS软件关于HEMT器件结构仿真分析的基本操作流程。根据软件仿真计算，我们可以对HEMT器件内部微观现象进行展示与机制分析，通过对二维电场分布，电势分布，载流子浓度以及能带等重要参数的分析，揭示影响HEMT器件性能的因素及各参数对器件性能的影响规律，从而指导工艺生产，助力企业制备高性能电子器件。

主讲人介绍

贾兴宇，现任天津赛米卡尔科技有限公司电力电子器件事业部主任，硕士就读于河北工业大学电子科学与技术专业，长期从事于半导体器件机理分析、电子器件工艺、电子器件芯片设计与仿真工作。熟悉精通TMBS、MOSFET、E-HEMT以及IGBT等多种电子器件的仿真设计及物性分析。

—— ——往期精彩回顾—— ——● 直播回放：芯片仿真设计（第二讲）● 直播回放：芯片仿真设计（第一讲）● 直播回放：集成电路工艺与测试（第二讲）● 直播回放：集成电路工艺与测试（第一讲）● 直播回放：FIB-SEM双束电镜在新能源和新材料相关领域的应用● 直播回放：光弹法在半导体晶圆应力测试中的应用● 直播回放：半导体功率器件动态参数的分析及测试（第四讲）● 直播回放：半导体功率器件动态参数的分析及测试（第三讲）● 直播回放：半导体功率器件动态参数的分析及测试（第二讲）● 直播回放：半导体功率器件动态参数的分析及测试（第一讲）

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