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【Topical Review】湖南大学胡袁源、华中科大王帅&中科院化学所江浪课题组 | 有机场效应管中的非理想双斜率效应
TOPICAL REVIEW
Ming-Chao Xiao, Jie Liu, Yuan-Yuan Hu*, Shuai Wang*, and Lang Jiang*, Nonideal double-slope effect in organic field-effect transistors, Front. Phys. 16(1), 13305 (2021)可复制此链接至浏览器查看详情:https://journal.hep.com.cn/fop/EN/pdf/10.1007/s11467-020-0997xhttps://journal.hep.com.cn/fop/EN/subject/showCollection.do?subjectId=acCode.203
Special Collection: Organic Semiconductors and OFETs (Eds. Hong Meng & Guangcun Shan)
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作者认为电荷捕获效应很可能是导致非理想双斜率行为的重要原因,特别是对给体-受体(D-A)聚合物而言。在这些聚合物中,活性官能团、栅偏压、半导体中捕获的微量水和氧在电荷捕获过程中起着重要作用,在电荷输运通道中电子持续注入、积累。据此推理,理想的p型OFET可以通过抑制电子的注入和积累来实现。美国加州大学圣巴巴拉分校的Bazan教授团队发现在D-A聚合物半导体中掺杂PCBM可以抑制非理想双斜率行为。如图2(a)所示,经过100次偏置扫描操作后器件表现出明显的双斜率行为,在D-A聚合物中加入PCBM可观察到理想的传输特性(见图2(b))。随着PCBM的引入,电子在富勒烯处紧密结合,阻碍了电介质/半导体界面电荷的积累和捕获,从而形成理想的OFET。香港大学Chan教授课题组提出使用表面掺杂可以有效抑制非理想的双斜率行为,如图2(c)所示。掺杂的F4-TCNQ可以扩散到接触区和沟道区,有利于载流子的注入和输运[见图2e]。从能带图上可以看出,F4-TCNQ主要与能带隙中的陷阱填充过程有关,这是由F4-TCNQ与半导体界面自发电荷输运触发的。
由于接触电阻会诱发非理想的双斜率行为,因此减小接触电阻或实现欧姆接触是消除双斜率效应的有效方法。有几种策略可以提高载流子注入效率并降低接触电阻,如修饰电极、利用单层半导体、半导体的后退火处理或插入电荷注入层。美国卡内基梅隆大学Porter教授及其合作者报道了自组装单分子膜对P3HT基OFET电荷注入和输运的影响。结果表明通过处理不同的自组装单分子膜可以调节金属功函数,从而影响电荷注入,进而影响接触电阻和迁移率。接触电阻从未处理电极的0.61 MΩ下降到0.18 MΩ(见图3(a,b))。与此同时,迁移率也显著增加了。金属电极功函数的变化也影响接触电阻的栅压依赖关系,有利于器件获得理想的电特性。南京大学王欣然教授研究组及其合作者通过在C8-BTBT和电极之间插入掺杂石墨烯,可以显著降低接触电阻(见图3c-e)。
(整理:蔻享译团队&FOP编辑)
Qian Niu, Advances on topological materials, Front. Phys. 15(4), 43601 (2020)可复制此链接至浏览器查看:(https://journal.hep.com.cn/fop/EN/10.1007/s11467-020-0979-z)Special Collection: Recent Advances in Topological Materials (Eds. Yugui Yao, Xiangang Wan, Shengyuan A. Yang, Hua Chen).可复制此链接至浏览器查看:(https://journal.hep.com.cn/fop/EN/collection/showCollection.do?id=194)
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