【未来科学大奖获奖者施敏纪录片】闪存技术灵感来源竟是一块4层蛋糕？一本专著印刷能达6万次？
以下文章来源于未来科学论坛 ，作者科学改变未来
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闪存技术的发明人施敏院士
回忆起发现浮栅存储（FGM）效应的过程
仍旧激动不已
然而，这项划时代的发明
却在当时被人看作是“无用之学”
在随后的几十年中，
才逐渐被广泛地应用于电脑、人工智能、
物联网以及智能手机当中
为人们的生活带来翻天覆地的变化
“当时我的同事姜大元肚子有点饿，
就叫了一个蛋糕大家一起吃，
就像这个蛋糕一样，一共4层，
我们就想到，
是否可以将半导体中的栅结构模型
也做成金属+绝缘层的4层结构？
结果第一次实验就非常成功
没想到后来影响那么大！
我们迎来了数码时代的到来！”
在他看来，
发现浮栅存储（FGM）效应，
和撰写《半导体器件物理学》
所产生的影响力
更像是“无心插柳柳成荫”一般的人生惊喜
施敏院士认为，只有从自己的内心出发，
做自己感兴趣的事情
人生才有意义，
才能做好研究。
科研人生跨越大半个世纪的施敏院士
于2021年获得未来科学大奖-数学与计算机科学奖
他有怎样的人生经历？
他有哪些话想对年轻人说？
未来科学大奖获奖者纪录片
带你走进施敏院士的科学人生
施敏因其在对金属与半导体间载流子互传的理论认知做出的贡献，促成了过去50年中按“摩尔定律”速率建造的各代集成电路中如何形成欧姆和肖特基接触的关键技术取得的成就荣获2021未来科学大奖“数学与计算机科学奖”。
奠定半导体行业半个世纪基础
施敏教授对跨金属/半导体 (金/半)载流子的传输理论和实践，做出了基础性和开创性的贡献。他对于大范围掺杂(1014-1020/cm3) 和工作温度 (硅: 77K-373K；砷化镓：50K-500K)的金/半接触特性，通过跨金/半界面势垒的量子隧道穿越、热电子发射、镜像力降低、和二维统计杂质变化的共同效应都做出了分析和实验。这些对硅和砷化镓半导体的前沿贡献, 不仅奠定了欧姆和肖特基 (欧/肖)接触的科学理论基础，并且开启了制造近代半导体器件的可扩展途径。在接下来的50年中，它们被广泛的用于计算、通信、传感、控制、成像和记忆之芯片电路的制造，对人类生活和文明有巨大贡献。
施敏教授出生于南京市，在台湾长大。1957年毕业于台湾大学电机系，1960年在华盛顿大学获电机工程硕士，1963年在斯坦福大学获电机工程博士。他于1967年在美国与姜大元博士共同发现浮栅存储（FGM）效应，是广泛应用的快闪存储器之核心发明。这里所奖励的科学工作是他1968-1969年在新竹交通大学 (今阳明交通大学) 期间完成的。
他还撰写了具有传奇色彩的研究专著《半导体器件物理学》。这是一本全球半导体和集成电路研究人员“必学”之书，一直被研究生院教师/学生以及整个电子和光子行业的工程师使用和引用。
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