真实记录获得未来科学大奖的第一天：施敏教授 | 获奖者系列视频
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他是闪存技术的发明人
由他发明的非挥发性半导体存储技术
曾被三次提名诺贝尔物理学奖
并被广泛应用于手机、笔记本电脑、IC卡、
数码相机及便携式电子产品中
由他撰写的具有传奇色彩的研究专著
《半导体器件物理学》
是工程和应用科学领域的三部经典专著之一
被誉为电子科技界的“圣经”
该书已被翻译成 6国文字
发行量达 600万册
已经被引用47500余次
成为全球半导体和集成电路研究人员的
“必学”之书
被世界各大学广泛用作教科书与参考书
他是全球半导体研发与教育之光
桃李满天下 他教过的学生逾万人
业界许多知名人士都是施敏的学生
他就是对人类生活和文明
做出巨大贡献
集“发明”“著作”“人才培养”三大贡献于一身的
施敏
北京时间2021年9月12日上午
在家中休息的施敏教授
接到了来自北京的电话
祝贺其获得2021未来科学大奖-数学与计算机科学奖
同时还有两位神秘嘉宾登门拜访
感谢他在半导体领域做出的开创性贡献
开启了制造近代半导体器件的可扩展途径
让人们享受到如今高效便捷的数字化生活
施敏 获奖理由：表彰他对金属与半导体间载流子互传的理论认知做出的贡献，促成了过去50年中按“摩尔定律”速率建造的各代集成电路中如何形成欧姆和肖特基接触的关键技术。
奠定半导体行业半个世纪基础
施敏教授对跨金属/半导体 (金/半)载流子的传输理论和实践，做出了基础性和开创性的贡献。他对于大范围掺杂(1014-1020/cm3) 和工作温度 (硅: 77K-373K；砷化镓：50K-500K)的金/半接触特性，通过跨金/半界面势垒的量子隧道穿越、热电子发射、镜像力降低、和二维统计杂质变化的共同效应都做出了分析和实验。这些对硅和砷化镓半导体的前沿贡献, 不仅奠定了欧姆和肖特基 (欧/肖)接触的科学理论基础，并且开启了制造近代半导体器件的可扩展途径。在接下来的50年中，它们被广泛的用于计算、通信、传感、控制、成像和记忆之芯片电路的制造，对人类生活和文明有巨大贡献。
施敏教授出生于南京市，在台湾长大。1957年毕业于台湾大学电机系，1960年在华盛顿大学获电机工程硕士，1963年在斯坦福大学获电机工程博士。他于1967年在美国与姜大元博士共同发现浮栅存储（FGM）效应，是广泛应用的快闪存储器之核心发明。这里所奖励的科学工作是他1968-1969年在新竹交通大学 (今阳明交通大学) 期间完成的。
他还撰写了具有传奇色彩的研究专著《半导体器件物理学》。这是一本全球半导体和集成电路研究人员“必学”之书，一直被研究生院教师/学生以及整个电子和光子行业的工程师使用和引用。
2021.11.18
未来科学大奖举办的
“芯”未来学术报告会
将全网同步直播
届时， 施敏教授将分享科学成果
并与多名专家、教授
共同展开学术交流与探讨
科学探索永无止境，
人类无限追求真理的过程，
终将改变世界！
2021未来科学大奖周
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