施敏：2021未来科学大奖获奖工作介绍视频 | Produced by Nature Research

施敏因其在对金属与半导体间载流子互传的理论认知做出的贡献，促成了过去50年中按“摩尔定律”速率建造的各代集成电路中如何形成欧姆和肖特基接触的关键技术取得的成就荣获2021未来科学大奖“数学与计算机科学奖”。

2021未来科学大奖

数学与计算机科学奖

（点击观看施敏的获奖工作介绍视频）

奠定半导体行业半个世纪基础

施敏教授对跨金属/半导体 (金/半)载流子的传输理论和实践，做出了基础性和开创性的贡献。他对于大范围掺杂(10¹⁴-10²⁰/cm³) 和工作温度 (硅: 77K-373K；砷化镓：50K-500K)的金/半接触特性，通过跨金/半界面势垒的量子隧道穿越、热电子发射、镜像力降低、和二维统计杂质变化的共同效应都做出了分析和实验。这些对硅和砷化镓半导体的前沿贡献, 不仅奠定了欧姆和肖特基 (欧/肖)接触的科学理论基础，并且开启了制造近代半导体器件的可扩展途径。在接下来的50年中，它们被广泛的用于计算、通信、传感、控制、成像和记忆之芯片电路的制造，对人类生活和文明有巨大贡献。

施敏教授出生于南京市，在台湾长大。1957年毕业于台湾大学电机系，1960年在华盛顿大学获电机工程硕士，1963年在斯坦福大学获电机工程博士。他于1967年在美国与姜大元博士共同发现浮栅存储（FGM）效应，是广泛应用的快闪存储器之核心发明。这里所奖励的科学工作是他1968-1969年在新竹交通大学 (今阳明交通大学) 期间完成的。

他还撰写了具有传奇色彩的研究专著《半导体器件物理学》。这是一本全球半导体和集成电路研究人员“必学”之书，一直被研究生院教师/学生以及整个电子和光子行业的工程师使用和引用。

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