中国半导体十大研究进展候选推荐（2021-038）——​非晶衬底氮化镓薄膜的范德华外延

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工作简介

         ——非晶衬底氮化镓薄膜的范德华外延

以氮化镓、氮化铝为代表的第三代半导体是国家“十四五”规划和2035远景目标纲要中确定的重点发展方向，是我国实现半导体技术与产业弯道超车的重要机会。Ⅲ族氮化物薄膜一般利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在蓝宝石衬底上外延制备。但是，一方面，蓝宝石与氮化物之间存在较大的晶格失配与热失配，外延薄膜质量较差，严重影响了器件的性能及可靠性，是目前宽禁带半导体制备过程中遇到的瓶颈问题；另一方面，晶体衬底本身尺寸有限、价格昂贵、不具备柔性等特征，限制了后续器件的生产成本控制及应用场景拓展。因此，摆脱对传统蓝宝石等单晶衬底的依赖是氮化物材料制备的一个重要研究方向，也将为通过外延的方式实现半导体材料异构集成提供新思路。

最近，中科院半导体研究所、北京大学、北京石墨烯研究院的研究团队利用石墨烯范德华外延的方法，在非晶玻璃衬底上成功“异构外延”出高质量的准单晶氮化镓（GaN）薄膜（图1），制备了发光器件，并且转移至柔性衬底，展示了该技术在柔性、大功率器件等领域应用的可能性。他们的核心策略就是利用石墨烯晶格作为外延模板，从而在非晶乃至任意衬底上实现半导体晶格的有序调控。

图1. 非晶玻璃上石墨烯缓冲层的晶格引导作用。

玻璃衬底具备价格低廉、无生产尺寸限制、应用场景广泛等优势。但是其非晶表面缺乏有序的原子排列，无法作为衬底约束外延材料的晶向。因此，玻璃上生长的材料往往是取向随机的多晶，无法拼接成单晶薄膜。研究人员利用范德华外延方法，在生长氮化物之前首先在玻璃上铺上一层石墨烯，借助于石墨烯晶格的引导，并辅以纳米柱缓冲层的策略（图2），有效控制了玻璃上氮化镓的外延取向得到了面外取向完全一致、面内取向只有三种的准单晶薄膜（图3）。基于该薄膜，他们制备出了高质量的平面量子阱蓝光LED器件，其内量子效率高达48.7%，为目前已知的非晶衬底上同类器件的最高纪录。进一步，利用界面处较弱的范德华力的特征，他们用机械剥离的方法将器件从玻璃衬底上剥离了下来，制备了柔性LED器件。

图2. 石墨烯玻璃晶圆上氮化物薄膜的生长。A-F.生长过程示意图；G. 纳米柱SEM图；H. GaN薄膜SEM图；I. GaN薄膜XRD表征。

图3. 石墨烯玻璃晶圆上氮化物薄膜的面内取向研究。A. 石墨烯上氮化物三种不同面内取向配置的原子模型；B. 石墨烯上氮化物不同面内取向的形成能；C-D. GaN薄膜晶界；E. GaN薄膜每个晶粒内部高分辨TEM图；F-G. GaN薄膜晶界处的摩尔纹。

解决半导体制备环节中 “卡脖子”问题，变革性的新研究思路、新制备方法是突破技术瓶颈的关键。基于石墨烯等二维材料的远程外延、范德华外延等新模式，有望为第三代宽禁带半导体材料的制备打开新的局面，在新型显示、柔性电子学等领域具有重要的应用前景；同时该技术有望通过物质组装与光电融合，为后摩尔时代提供颠覆性技术路线。

相关成果2021年7月30日发表于Science Advances（2021; 7: eabf5011）。中科院半导体研究所博士研究生任芳、北京大学前沿交叉学院博士研究生刘秉尧为论文共同第一作者。中科院半导体研究所刘志强研究员、北京大学物理学院高鹏研究员、北京大学/北京石墨烯研究院刘忠范院士为论文共同通讯作者。该工作也被科技日报、美国科学促进会等媒体报道。

上述工作得到国家重点研发计划变革性技术关键科学问题专项、国家自然科学基金委、北京大学电子显微镜实验室、半导体所青年人才项目等支持。

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作者简介

通讯作者

刘志强，中国科学院半导体研究所研究员， 中国科学院大学岗位教授，863“重大项目”负责人，国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”指南专家。

主要从事宽禁带半导体光电材料、器件，氮化物范德华外延，纳米像元超高清显示，智能健康光源等领域研究，在氮化物生长界面研究、宽禁带半导体p型掺杂、富缺陷氮化物体系载流子复合机制、超高清纳米像元等方面取得研究进展。在Science Advances、Adv. Mater.、Small、JACS、APL等国内外杂志发表论文150余篇。

通讯作者

刘忠范，北京大学博雅讲席教授，北京石墨烯研究院院长，中国科学院院士，发展中国家科学院院士，英国物理学会会士，英国皇家化学会会士，中国微米纳米技术学会会士。中组部首批万人计划杰出人才，教育部首批长江学者，首批国家杰出青年科学基金获得者。

主要从事纳米碳材料、二维原子晶体材料和纳米化学研究。发表学术论文600余篇、申请发明专利130余项。曾任国家攀登计划、973计划、以及纳米重大研究计划项目首席科学家，国家自然科学基金创新研究群体学术带头人。获国家自然科学二等奖、中国化学会-阿克苏诺贝尔化学奖、宝钢优秀教师特等奖、ACS NANO Lectureship Award、日本化学会胶体与界面化学年会Lectureship Award、北京市优秀教师等。

通讯作者

高鹏，研究员，北京大学博雅青年学者。国家杰出青年基金获得者，国家重点研发计划首席科学家。

现工作于北京大学量子材料科学研究中心，担任北京大学电子显微镜实验室副主任。长期从事材料界面物理和电子显微学研究，主要包括低维轻元素材料表界面、复杂氧化物界面、新能源材料的界面与相变等。发表论文200余篇，包括60多篇Science/Nature及子刊、PRL、Adv Mater。论文被引万余次，多个工作被NSF News、IEEE Spectrum、BBC News、ScienceDaily、Phys.org、R&D Magazine、Physics News、Compound Semiconductor、Semiconductor Today、AIP Scilight、National Science Review等国内外媒体作为研究亮点进行报道。曾获日本JSPS研究员、中科院青促会特邀会员、中国新锐科技人物、中国电子科技十大进展、中国光学十大科技进展、中国硅酸盐学会青年科技奖等奖项与荣誉称号。

第一作者

任芳，2016年于西安电子科技大学微电子学院获得学士学位，目前于中国科学院半导体研究所攻读博士学位。

目前主要研究方向为多种大失配衬底上氮化物范德华界面研究及外延制备。多篇论文发表于Science Advances、Small等国际知名期刊。

第一作者

刘秉尧，2018年于大连理工大学物理学院获得应用物理学学士学位，目前于北京大学前沿交叉学科研究院攻读凝聚态物理博士学位。

目前主要针对石墨烯辅助的范德华外延/准范德华外延等关键问题开展透射电子显微学研究。多篇论文发表于Science Advances、Nature Communications、Small等国际知名期刊。

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原文传递

详情请点击论文链接：

https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.abf5011#

《半导体学报》简介：

《半导体学报》是中国科学院主管、中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物，1980年创刊，首任主编是王守武院士，黄昆先生撰写了创刊号首篇论文，2009年改为全英文刊Journal of Semiconductors（简称JOS），同年开始与IOPP英国物理学会出版社合作向全球发行。现任主编是中科院副院长、国科大校长李树深院士。2019年，JOS入选“中国科技期刊卓越行动计划”。2020年，JOS被EI收录。

“中国半导体十大研究进展”推荐与评选工作简介：

《半导体学报》在创刊四十年之际，启动实施 “中国半导体年度十大研究进展”的推荐和评选工作，记录我国半导体科学与技术研究领域的标志性成果。以我国科研院所、高校和企业等机构为第一署名单位，本年度公开发表的半导体领域研究成果均可参与评选。请推荐人或自荐人将研究成果的PDF文件发送至《半导体学报》电子邮箱：[e-mail]，并附简要推荐理由。被推荐人须提供500字左右工作简介，阐述研究成果的学术价值和应用前景。年度十大研究进展将由评审专家委员会从候选推荐成果中投票产生，并于下一年度春节前公布。

JOSarXiv预发布平台简介：

半导体科技发展迅猛，科技论文产出数量逐年增加。JOSarXiv致力于为国内外半导体领域科研人员提供中英文科技论文免费发布和获取的平台，保障优秀科研成果首发权的认定，促进更大范围的学术交流。JOSarXiv由《半导体学报》主编李树深院士倡导建立，编辑部负责运行和管理，是国内外第一个专属半导体科技领域的论文预发布平台，提供预印本论文存缴、检索、发布和交流共享服务。

JOSarXiv于2020年1月1日正式上线（http://arxiv.jos.ac.cn/），通过《半导体学报》官网（http://www.jos.ac.cn/）亦可访问。敬请关注和投稿！

扩展阅读

 

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