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InfoMat: 溶质调控能带和缺陷结构提高SnTe热电性能
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近日,同济大学裴艳中课题组报道了通过溶质调控来实现能带结构的优化,同时获得较低的晶格热导率和优化的载流子浓度,从而在SnTe材料中获得了优异的热电性能。通过固溶12~30%PbTe,MnTe在SnTe的溶解度可以快速提升至~20%,此时参与导电的能带结构得到优化,保障载流子的良好输运特性。同时,高浓度的MnTe与PbTe固溶引入了大量的阳离子点缺陷,增强了声子的散射强度,晶格热导率获得大幅度下降。其高温下的晶格热导率低至~0.5 W/m-K,接近理论最小值(0.4 W/m-K)。另外,随着PbTe在SnTe中含量的不断增加,阳离子的平均尺寸随之增大,原本过高的空位浓度逐渐降低,使其载流子浓度达到优化。最终组成为Sn0.5Mn0.2Pb0.3Te的材料在900K实现了高达1.5的热电优值,远高于SnTe基体材料。
本研究结果提供了一种基于溶质调控实现的能带和缺陷结构优化的思路,在SnTe材料中实现了热电性能的大幅度提升。该工作发表在InfoMat上(DOI: 10.1002/inf2.12044)。
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