InfoMat: 化学气相传输法合成高结晶度二硒化铼二维纳米片

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近日，清华大学焦丽颖团队在InfoMat上发表了题为“Highly crystalline ReSe2 atomic layers synthesized by chemical vapor transport”的文章。该文章通过化学气相运输法（CVT）实现了高质量单层和少层二硒化铼纳米片的可控合成。研究人员通过改变前驱体用量、生长温度以及卤素源（KCl）等参数，调控晶体生长的动力学过程，在云母以及蓝宝石衬底上生长了具有高结晶质量的三角形以及菱形的超薄ReSe2纳米片。

Schematic for the set-up of CVT growth of ReSe₂ flakes

基于ReS2纳米薄片的场效应晶体管具有优异的电学性能，其开关比达到105，电子迁移率达到5 cm² V^-1 S^-1，远远高于之前报道的二硒化铼，这是因为低压CVT法合成ReSe2生长速率更低，结晶质量比常规CVD法更好导致的。该工作为二维各向异性材料的直接合成提供了新的思路，为其实际应用奠定了基础。

相关论文发表于InfoMat（DOI: 10.1002/inf2.12041）上。

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