【会议通知】第四届全国宽禁带半导体学术会议将于10月12-15日在美丽的鹭岛厦门举办
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会议时间：2021年10月12日-15日
会议地点：福建·厦门
主办单位：
中国电子学会电子材料学分会
中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会
承办单位：
厦门大学
第三代半导体产业技术创新战略联盟
南京大学
协办单位：
福建省半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心
福建省半导体材料及应用重点实验室
厦门大学物理科学与技术学院
半导体微纳光电子材料与器件教育部工程研究中心
半导体照明联合创新国家重点实验室
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
一、会议简介
近年来，宽禁带半导体已成为全球高技术竞争战略制高点之一，国际半导体及材料领域研究和发展的热点，基于宽禁带半导体材料，半导体照明已经形成巨大规模的产业，并在电子功率器件领域继续深入发展。为推动我国宽禁带半导体领域的发展，加强各界交流与协同创新，2015年10月，中国电子学会电子材料学分会发起并主办了首届全国宽禁带半导体学术会议（WBSC），会议由中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所承办。自第二届开始，会议更新为由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会两家单位共同主办。广东省半导体产业技术研究院、第三代半导体产业技术创新战略联盟共同承办了第二届大会。
随着大会规模和影响力的不断增强，今年，“全国宽禁带半导体学术会议（WBSC）”迎来了第四届，定于2021年10月12-15日在美丽的鹭岛厦门举办，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会共同主办，厦门大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟联合承办。
届时，来自国内宽禁带半导体领域学术界、产业界的专家学者、科研技术人员、院校师生、企业家代表等，将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，促进产学研用的交流合作。深信这次会议必将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步、产业发展起到有力的推动作用。
二、组织机构
名誉主席：曹健林、甘子钊、郑有炓
大会主席：张荣、吴玲
大会副主席：杨辉、张国义
大会执行主席：康俊勇
顾问委员会（按姓氏首字母排序）：卞曙光、曹镛、褚君浩、郝跃、何杰、侯洵、黄如、黄维、贾明星、江风益、雷鹏、李树深、刘明、孟徽、潘庆、屠海令、王立军、王圩、王曦、王占国、吴德馨、夏建白、许宁生、叶志镇、周炳琨、周克崧
程序委员会：
主 席: 沈波
副主席：李晋闽、徐科、于坤山、阮军
委 员（按姓氏首字母排序）：蔡树军、陈弘、陈敬、陈堂胜、陈小龙、陈志祥、杜国同、冯志红、贺东江、黄丰、康俊勇、黎大兵、廖良生、刘纪美、刘木清、刘榕、刘胜、刘新宇、刘益春、龙世兵、陆海、罗毅、孟庆波、潘毅、彭俊彪、邱宇峰、盛况、王钢、王宏兴、王军喜、王晓亮、王新强、吴军、徐现刚、云峰、曾一平、张波、张国华、张国旗、张进成、张乃千、张玉明、赵德刚
组织委员会：
主 席: 陈志涛 刘斌
副主席：张书明 李金钗 蔡端俊
委员（按姓氏首字母排序）：曹峻松、陈敦军、陈鹏、陈长清、陈志忠、程凯、耿博、顾书林、郭清、郭世平、郝茂盛、黄凯、黄森、金瑞琴、李程、李国强、李忠辉、刘军林、刘扬、刘志强、牛萍娟、潘尧波、孙钱、汪莱、王光绪、王来利、王茂俊、魏同波、许福军、闫建昌、杨兰芳、杨树、叶建东、于彤军、张保平、张纪才、张建立、张源涛、赵璐冰、周琦、左然
大会秘书处：
秘书长：高娜
副秘书长：涂长峰
成员：林伟、赵维、王琦、赵红、康香宁、芦丽、贾欣龙等
三、主要日程
四、大会主题
芯动力·新征程
——宽禁带半导体的机遇与挑战
五、分会场主题：
1. 材料生长（氮化物半导体、氧化物半导体、碳化硅、金刚石等）
2. 材料物性和表征技术（光、电、磁、热性质、缺陷物理等）
3. 光电子器件及其应用（LED、LD、光电探测器等）
4. 电子器件及其应用（射频电子器件、功率电子器件等）
5. 新型宽禁带材料与器件（超宽禁带半导体、二维宽禁带半导体、有机宽禁带半导体等）
六、会议征文
1.主题方向（建议主题但不限于以下）
(1)宽禁带半导体材料生长机理和生长动力学
(2)宽禁带半导体外延结构与物性表征
(3)宽禁带半导体光电子器件
(4)宽禁带半导体电子器件
(5)新型宽禁带半导体材料与器件
2.征文要求（供参考）
(1)符合上述内容的论文摘要；
(2)论文摘要主题突出、内容层次分明、数据准确、论述严谨、结论明确、采用法定计量单位；
(3)论文摘要须以WORD文档格式，包含标题、作者及其单位地址、正文、图表、参考文献等在内不超过一页A4纸；
(4)提交截止日前,以电子邮件方式（投稿邮箱:lxl@xmu.edu.cn）提交至会议组委会秘书组；相关模板可登录大会官网或查询附件；
(5)所有论文摘要均编入会议文集。
七、重要截止日期
1.论文摘要提交截止日：2021年8月10日
2.报告录用通知截止日：2021年9月1日
3.注册费优惠截止日：2021年9月10日
八、会议注册费
1.普通代表（A类票）：2800元
（含会议文集、日程等会议资料及会议期间相关服务）
2.学生代表（B类票）：2300元
（与普通代表会议待遇相同，但须提交相关证件）
3.9月10日前，报名缴费可享受优惠：
普通代表2500元；学生代表2000元。
（享受上述相同待遇及服务）
九、注册费缴费方式
1.通过银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
2.线上缴费（微信或支付宝支付）
3.现场缴费（接受现金和刷卡）
十、会议信息及联系人
1.联系人：
论文征集
蓝老师：0592-2187737/18506928456
E：lxl@xmu.edu.cn
参会咨询
芦老师：010-82380580 E：lul@casmita.com
商务合作
贾先生：18310277858 E：jiaxl@casmita.com
张小姐：13681329411 E：zhangww@casmita.com
大会热烈欢迎相关领域的专家、学者、行业企事业单位参会交流！
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附件一：第四届全国宽禁带半导体学术会议 论文摘要模板
附件二：第四届全国宽禁带半导体学术会议 参会回执表
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