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第三代半导体产业

科研成果 | 西交大科研人员基于超临界流体工艺研制成高性能碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

1000°C至1500°C。然而这样的高温钝化工艺，无法避免界面处再氧化而导致额外缺陷，从而严重限制了界面质量的提升效果。此外，在磷基环境中进行高温退火和使用沉积的高

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2021年12月21日