官宣！中芯国际“N+1”工艺成功流片！

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10月11日，中国领先的一站式IP和定制芯片领军企业芯动科技（INNOSILICON）官宣：已完成了全球首个基于中芯国际FinFET  N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过，这是过去数月工艺迭代和共同努力后获得的里程碑成果。

“N+1”是中芯国际对其第二代先进工艺的代号，其与现有的14nm工艺相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%，也被称为“国产版”的7nm芯片技术。

芯动科技持续聚焦全球先进工艺芯片IP和定制，拥有自主全系列高带宽高性能计算IP技术，多次在先进工艺上填补国内空白，核心技术支持了全球客户数十亿颗高端SOC量产。

自2019年始，芯动在中芯N+1工艺尚待成熟的情况下，团队全程攻坚克难，投入数千万元设计优化，率先完成NTO流片。基于N+1制程的首款芯片经过数月多轮测试迭代，助力中芯国际突破N+1工艺良率瓶颈。

芯动科技与全球知名代工厂已有多年国产IP生态共建的合作，为大量国内和全球客户实现从成熟工艺（55nm、40nm、28nm、22nm等)到先进工艺（如FinFET 14nm、12nm、7nm等）的不断跨越，在各先进工艺中规模IP授权和定制批量生产高端SOC，包括GDDR6/Chiplet/Serdes等先进技术规模量产，连续多年获得中芯国际“最佳IP合作伙伴”奖。

如今，芯动科技基于国产N+1新工艺的率先里程碑NTO流片验证成功，为国产半导体生态链再立新功。

芯动科技与长电科技的纠葛

值得一提的是：在今年4月，芯动科技起诉长电科技发索赔2500万美元（约合人民币1.75亿元）一事，受到业内外的广泛关注。

1、长电科技严正声明：坚决抵制芯动公司商业欺诈讹诈行为

2、芯动科技：关于长电科技不实声明的澄清公告

无论如何，让我们：恭喜，芯动科技！恭喜，中芯国际！恭喜，中国芯片！

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