据说5nm手机芯片集体翻车了?

是说芯语”已陪伴您735天

近日，搭载骁龙888的终端陆续上线，不少已经下单的小伙伴陆续反馈设备续航翻车的现象，甚至还有不少媒体对骁龙888的功耗进行了测试，结果也是如出一辙，发热降频统统翻车。

早在骁龙810时代，骁龙810的发热问题导致手机出现自动关机，同时还有触发降频等一系列的问题，因此骁龙芯片被贴上了“火龙”的标签。随后的骁龙820、821等迭代产品中也出现类似的情况，甚至上一代骁龙865同样因为发热与功耗的问题，不得不让手机厂商加大了散热模块来控制骁龙的“高温”。

而这一代骁龙888似乎也难逃发热和功耗问题，首先设计上，骁龙888采用的是“1+3+4”架构，包括1颗2.84GHz X1大核，3颗2.4GHz A78中核，以及万年不变的4颗1.8GHz A55小核，GPU采用的是Adreno 660，虽然在设计上都有所升级，但实际功耗测试却出现翻车情况。

根据某知名科技UP主最新测试可知，尽管骁龙888的性能有所提升，但功耗压制出现了大问题，单纯X1大核满载功耗就达到了3.3W，相比去年同频的A77高出整整1W，而且骁龙888的多核性能功耗也要比去年骁龙865高出了1.9W，显然A78中核和A55小核的功耗也很高，即便采用5nm制程工艺也无法压制高功耗的问题。

某知名科技UP主进行的功耗测试（图源/网络）

如此来看，上市不久的5nm制程工艺芯片确实有待推敲，相较于目前仍是主流的7nm制程工艺芯片来说，尽管5nm工艺提升带来了更强的性能，但在功耗上并没有做到领先，甚至是落后于上一代。

在5G市场上衰退的高通，想要通过骁龙888来稳固旗舰市场，可惜翻车的5nm制程让骁龙888不“香”了，反倒是台积电6nm工艺备受瞩目，同样是极紫外光刻（EUV）工艺，但成熟度相比5nm工艺会更高，从稳定性和功耗控制上预估会有更好的表现。

目前，搭载台积电6nm工艺制程的芯片厂商包括有联发科和展锐，即将推出的联发科6nm天玑旗舰芯片或将有更高的关注度，很有可能成为今年诸多终端厂商的主推。

推荐阅读：

“是说芯语”已陪伴您735天

----------------------- END-----------------------

是说芯语转载，欢迎关注分享