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加油站| 磁珠的用法、PCB布线3W规则(大疆通用硬件岗解析)
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本期加油站解析题目来源大疆硬件岗,共5道单选题,涉及知识点包含:磁珠的用法、MOS管参数对电源效率的影响、3W布线原则、晶振电路中电容的作用、电容参数与特性。
NO2DCDC开关电源电路中,MOS管的哪个参数和开关电源的效率相关。A、VDS B、RDS(ON)C、ID D、VGS(th)解析:MOS管的参数定义,以及影响开关电源的效率因素在做这道题之前,首先要清楚选项中MOS管的各个参数的意义。VDS :最大漏源电压,是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。RDS(ON):在特定的VGS(一般为10V)、结温及漏极电流的条件下,MOS导通时漏源间的最大阻抗。RDS(ON)是MOS管非常重要的参数,决定了MOS导通时的消耗功率。ID:最大漏源电流。是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。VGS(th):开启电压(阀值电压)。当外加栅极控制电压VGS超过VGS(th)时,漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。然后,要清楚在DCDC开关电源电路中,MOS管的作用。以常见的Buck电路分析:
NO3PCB走线中说到的3W原则是( )A、宽度相同相邻两个信号之间的距离是该信号宽度的3倍B、宽度相同相邻两个信号的宽度和2个信号之间的间隔宽度加一起是该信号宽度的3倍C、宽度相同两个信号走线边沿之间的距离应该大于或者等于2倍的走线宽度D、其他都不对解析:layout的布线走线规则要求。电路设计中,存在敏感器件和敏感走线,比如时钟或周期信号。如果有强干扰信号离敏感信号线距离不够,就会产生串扰。串扰的产生对其他重要走线,如数据线、地址线、控制线或IO产生影响。3W原则就是线与线中心间距不少于3倍线宽(如下图),如果线中心距不少于3倍线宽时,则可保持70%的线间电场不互相干扰,称为3W规则。如要达到98%的电场不互相干扰,可使用10W规则。根据下图所示,本题答案选择C。
NO412MHz的晶体振荡器电路,在生产时,将原本的12p的电容,错误的用了15p的电容,后果将会是( )A、电路不工作 B、电路没什么影响,正常工作C、可以工作,但是频率偏快D、可以工作,但是频率偏慢解析:晶体振荡器电路中匹配电容的意义。题目中所说的电容是指外部负载电容,晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。一般情况下,增大负载电容会使振荡频率下降,而减小负载电容会使振荡频率升高。所以本题选D。
NO5电容规格中的NPO,Y5V是和什么特性相关:( )A、电容容量 B、温度特性C、电容种类 D、容值误差范围解析:电容的分类,特性参数。电容应用范围广泛,根据电介质的不同,可分为陶瓷电容、铝式电容、钽式电容、薄膜电容等,其中陶瓷电容市场占比最高,超过 50%。片式多层陶瓷电容器(MLCC)作为最主要的陶瓷电容,成为被动电子元件中使用最为广泛、用途最广、使用量最大的电子元件。按照温度特性、材质、生产工艺、填充介质的不同,MLCC可以分成如下几种:NPO、COG、Y5V、Z5U、X7R、X5R等。它们的主要区别如下:- C0G、NPO电容器具有高温度补偿特性,这种介质极其稳定,温度系数极低,在温度从-55℃到+125℃时,容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。而且不会出现老化现象,损耗因数不受电压、频率、温度和时间的影响,介电系数可以达到400,介电强度相对高。非常适用于高频、超高频和对电容量、稳定性有严格要求定时、振荡电路的工作环境。这种介质电容器唯一的缺点是电容量不能做得很大(由于介电系数相对小),通常1206表面贴装C0G介质电容器的电容量从0.5PF~0.01μF。- X7R电容器是温度稳定型陶瓷电容器,适合要求不高的工业应用。常用于容量为3300pF~0.33uF的电容,这类电容适用于滤波,耦合等场合。电介质常数比较大,当温度从0°C变化为70°C时,电容容量的变化为±15%;- Z5U电容器特点是小尺寸和低成本,尤其适合应用于去耦电路。Z5U电容工作温度范围 +10℃ -+85℃,温度特性 +22% -56%,介质损耗最大4%。- Y5V电容器温度特性最差,但容量大,可取代低容铝电解电容。在-30℃到85℃范围内,其容量变化可达+22%到-82%。所以,本题的答案是B。
题目预告
下周二,解析一道FPGA逻辑题,同样来自大疆笔试题(FPGA逻辑岗)。题目:Signal_a是clka(300M)时钟域的一个单时钟脉冲信号,如何将其同步到时钟域clkb(100M)中,并产生出Signal_b同步脉冲信号。请用Verilog代码描述,并画出对应的时序波形图说明图。END
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