三代半·电报｜英飞凌：预计到2027年，碳化硅产能将增加10倍；盛新材料成功产出8吋SiC
▌英飞凌：预计到2027年，碳化硅产能将增加10倍
近日，英飞凌召开2023媒体交流会。其中提到，英飞凌看好碳化硅和氮化镓市场发展前景，正在加紧布局和扩大产能。去年，英飞凌宣布马来西亚居林工厂投资逾20亿欧元建造第三个产区，扩大碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体的产能，新工厂计划于2024年投产。同时，菲拉赫工厂将通过对现有硅设备进行改造等方式，将现有的150毫米和200毫米硅生产线转换为碳化硅和氮化镓生产线。预计到2027年，英飞凌的碳化硅产能将增加10倍，届时其碳化硅业务的销售额将增长至约30亿欧元。英飞凌的目标是，通过大幅扩展产能，在未来10年内将公司在碳化硅领域的市场份额提高到30%。
▌盛新材料成功产出中国台湾首片8吋SiC衬底
近日，据中国台湾媒体digitimes报道，盛新材料已经成功产出台湾首片8英寸SiC衬底。据悉，这是中国台湾成功试产的首炉8英寸SiC衬底，由于中国台湾SiC供应链在8英寸方面仍未成熟，包括没有8英寸的SiC切晶、晶圆厂及器件等产能，所以此次是由中国台湾以外的伙伴完成首片8吋衬底。2022年，盛新表示，目前已购置65台长晶设备，其中50台与广运集团合作自制，产能自制率达75%以上，持续扩产中，该公司称，在所有长晶炉全数启动的假设下，期望良率达70%。
▌Navitas与Richardson Electronics达成经销协议
近日，Navitas 宣布，公司与Richardson Electronics 达成经销协议，涵盖美洲的下一代碳化硅 (SiC) 功率半导体。Richardson Electronics将专注于 Navitas 的 GeneSiC™ 功率 MOSFET 和 MPS™ 二极管，额定电压为 650 V – 6.5 kV。获得专利的沟槽辅助平面栅极技术可在高温下提供最低的 RDS(ON) 并在高速下提供最低的能量损失。2022年8月，Navitas宣布收购碳化硅公司GeneSiC公司，收购总对价包括：约1亿美元现金、2490万股纳微股票以及可能高达2500万美元的盈利支付。GeneSiC主要提供650V～6500V全系列车规级碳化硅MOS，产品主要由X-Fab代工。
▌山东加睿晶欣年产10万片2英寸氮化镓单晶衬底项目新进展
3月13日，济宁国家高新技术产业开发区公示了山东加睿晶欣年产10万片2英寸氮化镓单晶衬底项目环评表。据悉，该GaN项目于2019年3月开工建设，总投资15亿元，总建筑面积10.1万平米，建设涵盖生产车间、研发中心、检测等全系列产业链的标准化园区。根据公告，该项目一期将购置晶体生长炉、大型多线切割机、自动倒角机等先进设备266台（套），形成长晶、切割、抛光、激光剥离等全链条生产线，年生产2英寸氮化镓单晶衬底10万片。
▌厦门出台新政，重点支持第三代半导体等6个未来产业
近日，厦门市人民政府印发《厦门市市场主体培育工程实施方案（2023-2026年）》。其中在“布局一批未来赛道企业”方面，大力扶持未来产业企业发展。重点支持第三代半导体等6个未来产业领域企业发展，组织实施重大科技项目，解决关键核心技术难题。支持国家技术创新中心或分中心、省创新实验室等高能级创新平台建设，引进培育一批服务产业的新型研发机构，建设一批急需紧缺的公共技术服务平台，布局一批未来产业孵化器、产业园。
本文来源：行家说三代半、digitimes、厦门市人民政府等