近日，中瑞宏芯半导体宣布完成过亿元A+轮融资，这是中瑞宏芯继今年10月份产投融资以来的又一融资进展。10月，中瑞宏芯半导体完成近亿元人民币的产投融资，由光伏微逆领头公司禾迈股份和头部汽车电子供应商纳芯微联合投资。本轮融资将继续用于碳化硅器件的技术研发创新、生产运营及市场拓展，全方位提升中瑞宏芯在SiC功率半导体行业的核心竞争力。中瑞宏芯凭其自身优势产品的竞争力和连续翻番的销售数据，以设计公司的商业模式成功集合起上下游产业领头企业的联合投资，显示了行业对于中瑞宏芯在SiC功率半导体领域的竞争地位和未来前景的肯定。产品方面，5月，中瑞宏芯正式发布1200V/14mΩ

《碳化硅产业·2023年11月刊》上新■

如有相关问题也可添加主编咨询（或领取往期月刊）。信息搜集：吴晰

也可点击阅读原文报名参会

左右滑动查看SiC月刊左右滑动查看SiC月刊《碳化硅产业·2023年09月刊》上新本期从六个方向整理了9月SiC产业链信息：◎订单合作

左右滑动查看SiC月刊左右滑动查看SiC月刊《碳化硅产业·2023年08月刊》上新本期从六个方向整理了8月SiC产业链信息：◎订单合作

真加新媒体（上海真加信息科技有限公司）是聚焦于第三代半导体及新能源汽车电驱动产业的信息服务平台。旗下拥有「芯TIP」和「电车纵横」两大全媒体平台，业务涵盖行业资讯、行业解读、产业刊物、产业社群、产业链协同论坛以及新媒体生态合作等，致力于新能源产业链信息深度聚合，价值链科普分层呈现，为企业及行业人士提供一站式服务。入群联系：联系邮箱：info@trueplusmedia.com合作联系：15151852761

浪潮已至产业革新当下，高压快充成为国内外越来越多主流车企深度布局电动化的路线选择。在800V高压平台技术加持下应运而生的电动车型，因其能量转化率高、充电效率高等特性，直接化解了“续驶短、充电慢”等电动汽车使用焦虑，被业内寄予厚望，并被视为是“平替”传统燃油车的上佳技术路径和解决方案。一时间，“800V”似乎已经不容反驳地成为新能源实力车型的竞争“标配”。但是，提高电压不是简单技术的升级，而是一项繁杂的系统工程。浪潮已至

7月24日，证监会披露了关于瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司(简称:瀚天天成)首次公开发行股票并上市辅导备案报告。据披露，瀚天天成聘请中金公司担任首次公开发行并上市的辅导机构，双方于7月21日签订《辅导协议》。瀚天天成于2011年在厦门火炬高新区正式成立，主营业务是研发、生产、销售SiC外延晶片，其引进德国Aixtron公司制造的SiC外延晶片生长炉和各种进口高端检测设备，形成了完整的SiC外延晶片生产线。2012年3月，瀚天天成成为中国第一家提供商业化3英寸和4英寸碳化硅半导体外延晶片的企业，产品达到国际先进水平，并填补了国内空白。2014年4月，瀚天天成完成第一笔商业化6英寸碳化硅外延晶片订单，成为国内首家、全球第4家提供商业化6英寸碳化硅外延晶片的生产商。产品突破方面，前不久，瀚天天成宣布，研发团队完成了具有自主知识产权的8英寸碳化硅外延工艺的技术开发，瀚天天成正式具备了国产8英寸碳化硅外延晶片量产能力。此外，瀚天天成也完成了多项长期合约（LTA）的签订，包括价值超过1.92亿美元的8英寸长约。瀚天天成所生产的

Research最近的演示表明，MOSFET可以扩大可考虑的选项组合。这建立在SiC电子技术领域不断增长的工作基础上，GE航空研究人员正处于领导工作的前沿。该团队目前正在与NASA

5月31日，据威兆半导体官微消息，公司推出了新品——第三代半导体SiC

5月31日，纬湃科技官网宣布，公司与安森美达成了一项价值19亿美元（约17.5亿欧元）的碳化硅（SiC）产品的10年长期供应协议，以满足纬湃科技在电气化技术方面的强势增长。此外，纬湃科技还将向安森美提供2.5亿美元（2.3亿欧元）的投资，用于采购碳化硅晶圆生长、晶圆生产以及外延片等所需的新设备，以提前锁定碳化硅的产能。这些设备将用于生产碳化硅的晶圆，以支持纬湃科技在该方面不断增长的业务需求。此外，基于此次合作，纬湃科技将提供更优化的客户解决方案，安森美高性能的EliteSiC

博士将为我们带来【国际SiC产业投资趋势和挑战】的专题分享。参考来源：中赢创投、云潼科技、36氪*点击“阅读原文”，报名#SiC功率器件应用及测试技术大会

瑞能半导体将亮相6月15-16日在无锡丽笙精选酒店举行的2023碳化硅功率器件应用及测试技术大会，同行业从业者交流光伏产业未来市场趋势分析、合作发展策略、行业最前沿技术，把握向业界展示成果的最佳机会。瑞能半导体源自恩智浦，拥有完整且严格的研发、认证和生产管理体系，是中国本土最早的SiC功率器件供应商。自2011年以来，瑞能半导体持续研发并推出多种碳化硅半导体器件，出货量累计达4000万颗。目前，瑞能SiC二极管产品已完成六代产品开发，拥有1.26V超低Vf，SiC

*点击“阅读原文”，报名#SiC功率器件应用及测试技术大会

SiC衬底片。据悉，三菱电机2026年度SiC晶圆产能预计将扩增至2022年度的约5倍水平。根据此前3月消息，三菱电机投资约1000亿日元，将用于建设新的8英寸

2023碳化硅器件应用及测试技术大会将于6月15-16日在江苏·无锡举办，会议将分为两个应用专场展开，重点聚焦碳化硅产品在光储系统及车用主驱产品中当前的应用进展及技术要求、碳化硅模组工艺和测试技术交流。诚挚邀请各位行业同仁出席！主办单位无锡市锡山经济技术开发区管委会InSemi

近日，据中国平煤神马集团官微消息，八矿新能源绿色矿山综合利用项目在八矿开工。平煤神马集团常务副总经理张建国出席开工仪式，宣布项目开工。同时，1000吨碳化硅半导体材料项目在平顶山电子半导体产业园开工。具体来看，平煤神马1000吨碳化硅半导体材料项目位于平顶山电子半导体产业园区，是卫东区聚焦国家战略性新兴产业和信创产业发展风口、打造的集聚高端半导体产业创新要素的支撑性项目，由建工集团第十一项目管理公司承建，主要建设内容包括第三代半导体材料产业生产区、办公楼、生产服务区及配套的“源网荷储”绿电项目、半导体产业科创孵化中心、高级人才公寓等项目。碳化硅是目前发展最成熟的第三代半导体材料，具有高电导率、高热导率等性能。集团主动抢抓“信创产业”发展新风口，挖掘释放资源优势，和平发集团共同成立河南中宜创芯发展有限公司。去年12月20日，碳化硅半导体材料示范线开发项目实现投产。首批碳化硅粉体产品纯度、碳化硅晶锭产品质量达到国内领先水平，填补了我省第三代电子半导体产业领域空白。据了解，1000吨碳化硅半导体材料项目建成后，预计产能位居全国前列，产品在国内市场占有率在30%以上，全球市场占有率在10%以上。本文来源：中国平煤神马集团官微◎

近日，安徽长飞先进半导体在安徽芜湖隆重举办了以“飞扬”为主题的首届战略发布会。会上，长飞先进总裁陈重国透露，公司引进了近百名拥有半导体国际大厂背景的核心团队成员，核心团队成员平均15年以上行业从业经验，并成功实现由“Foundry”到“IDM+Foundry”的业务转型，建立了系统的产品开发、产品管理、业务拓展能力，打造了完整的650V-3300V

碳化硅功率器件应用及测试技术大会也设有展位，届时欢迎碳化硅产业链上下游朋友莅临交流。碳化硅芯观察将于

近日，据36氪报道，半导体材料键合集成技术企业青禾晶元宣布完成了共计2.2亿元的A++轮融资，投资方包括北京集成电路尖端芯片基金、阳光电源、智科产投、建信、沃赋资本、正为资本、海南瑞莱、俱成投资和天津天创。据悉，该轮融资将被用于建设键合集成衬底量产线，扩大生产规模，开展多款设备规模化量产以及应用场景拓展。36Kr创投青禾晶元集团聚焦于新型半导体材料与装备的研发生产制造，是国内领先的晶圆异质集成技术与方案的提供商，专注于面向第三代半导体、三维集成、先进封装、功率模块集成等应用领域。青禾晶元集团拥有多家子公司，在关键零部件、技术服务、复合材料生产等方面依次实现量产。截至目前，青禾晶元已经完成晶圆键合设备、Chiplet设备及功率模块键合设备等多款设备的开发及量产；SiC、POI等键合集成衬底材料规模化量产。去年12月，青禾晶元天津复合衬底量产示范线首台设备搬入。当时消息显示，首台设备的搬入标志着天津复合衬底量产示范线建设取得阶段性成果，项目从洁净室装修转向设备安装调试阶段。项目投产后，青禾晶元天津复合衬底产线将成为全国首条先进复合衬底量产线。据36氪报道，青禾晶元天津新型键合集成衬底量产示范线于5月19日宣布正式通线，规划产能3万片/年，满产后预计单条产线营收过亿元。量产示范线通线，标志着青禾晶元先进半导体键合集成衬底产品具备了大规模量产的基础。参考来源：36氪*点击“阅读原文”，报名#SiC功率器件应用及测试技术高峰论坛

读SEMI-TIP碳化硅产业月刊全新升级，从版式到内容均做了优化调整。另外，需要注意的是月刊电子版的领取方式也有改变。（此前均通过邮件发送，会出现附件过大的问题）◎

Burg女士表示：“为了满足不断增长的碳化硅需求，英飞凌正在大幅提升其马来西亚和奥地利生产基地的产能。基于广大客户的利益，我们正在落实一项多供应商和多国采购战略以增加供应链弹性，

MOSFET，从650V至1700V，内阻最小可达20mΩ，丰富的产品型号适合各种应用。文章来源：瀚薪科技*点击“阅读原文”，报名#SiC功率器件应用及测试技术高峰论坛

4月28日，连城数控大连基地三期项目开工仪式在三期项目建设现场正式启动，主要用于高端半导体和光伏装备研发及制造扩产。据悉，该三期建设项目总建设用地面积40997㎡，新建厂房3栋及相关配套设施建设，总建筑面积约37143㎡。主要用于光伏行业金刚线切片机、开方机、磨床扩产项目；第三代半导体碳化硅、蓝宝石等加工设备切片机、滚磨机、截断机等研发制造项目；光伏切片智慧工厂中试线项目。连城数控大连基地三期建设项目效果图据连城数控董事长李春安透露，甘井子区是连城数控最重要的研发制造基地，目前一期二期已顺利投产、达产，此次三期项目建设，将更一步提升连城数控的行业地位，助力于光伏及半导体行业发展。连城数控成立于2007年，于2020年7月在北交所敲钟上市，是光伏及半导体行业晶体硅生长和加工设备供应商，为光伏及半导体行业客户提供高性能的晶硅制造和硅片处理等生产设备。▌子公司连城凯克斯碳化硅项目布局去年7月，连城数控发布定增草案，拟向特定对象发行股票不超过

4月26日晚，天岳先进披露2022年年报和2023年一季度报告，随着产能调整的顺利进行，公司连续五个季度营业收入快速增长，2023年一季报营业收入同比增长185.44%，凸显该公司导电型产品的产销量提升正获得积极效果。根据天岳先进披露的2022年年报显示，过去一年，天岳先进与行业内多家汽车电子、电力电子器件等领域的知名客户签署长期协议，为公司2023年-2025年的销售增长提供持续动力，其中包括已经披露的13.96亿元的重大合同。全球汽车电子知名企业博世集团也对双方合作表示了高度认可。博世汽车电子事业部功率半导体和模块工程高级副总裁Ralf

随着导电型SiC衬底的逐渐量产，对工艺的稳定性、可重复性都提出更高的要求。特别是缺陷的控制，炉内热场微小的调整或漂移，都会带来晶体的变化或缺陷的增加。后期，更要面临“长快、长厚、长大”的挑战，除了理论和工程的提高外，还需要更先进的热场材料作为支撑。因此，「用」先进材料，「长」先进晶体势在必行。但是，热场中坩埚的材料，石墨、多孔石墨、碳化钽粉等使用不当，会带来碳包裹物增多等缺陷。另外在有些应用场合，多孔石墨的透气率不够，需要额外开孔来增加透气率。再者，透气率大的多孔石墨，面临加工、掉粉、蚀刻等挑战。基于此，恒普科技全球首发全新一代SiC晶体生长热场材料——多孔碳化钽。据恒普科技透露，碳化钽的强度和硬度都很高，做成多孔状，更是挑战。做成孔隙率大、纯度高的多孔碳化钽更是极具挑战。恒普科技突破性的推出大孔隙率的多孔碳化钽，孔隙率最大可以做到75%，处于国际领先水平。该多孔碳化钽可应用在气相组元过滤，调整局部温度梯度，引导物质流方向，控制泄露等环节。值得一提的是，多孔碳化钽还可与恒普科技另外一款固体碳化钽（致密）或碳化钽涂层，形成局部不同流导的构件。此外，部分构件可以重复使用，降低了耗材的使用成本。▌技术参数◎

据业内人士称，三星电子正在推进设备投资，以开发8英寸SiC/GaN工艺。据了解，今年早些时候，在组建了与SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）器件开发相关的功率半导体TF后，该公司正积极投资研发和原型生产所需的设施，迄今为止的投资额已超过1000亿至2000亿韩元。值得一提的是，三星电子正试图引进更先进的8英寸工艺设备。业界看到，考虑到真正进入SiC市场的时间，三星电子正在采取直奔8英寸而不是6英寸的策略。三星今年早些时候成立了一个功率半导体工作组，作为其制造

近日，中恒微半导体官微透露，公司宣布完成了新一轮的融资，本轮融资由毅达资本、合肥创新投、合肥高投参与。而去年6月，中恒微半导体就完成了由上市公司固德威投资的pre-A

随着新能源汽车、工业、光伏、储能等行业的迅猛发展，功率器件领域也在不断迭代升级。其中，碳化硅技术近几年备受关注，国际厂商的出货量迅速上升，国内厂商纷纷重金投入，涌入碳化硅赛道，试图从碳化硅价值链的方方面面切入这个前景看好的半导体细分领域，包括衬底、外延、晶圆制造、模块封装、应用落地等等。▲

▌西电芜湖研究院宽禁带半导体器件试制线成功通线3月25日，西电芜湖研究院举行宽禁带半导体器件试制线通线仪式。据悉，该宽禁带半导体器件试制线的成功通线，标志着西电芜湖研究院半导体器件研发与产业化迎来了新的里程碑。项目建成后，将具备4-6英寸碳化硅、6-8英寸氮化镓外延材料生长到器件研制的全套工艺流程能力，有助于芜湖市解决半导体产业在知识产权培育和转化、特殊工艺与特色产品定制、中试规模的芯片可靠性评价体系建设等领域存在的难点、堵点，为芜湖市新能源汽车、航空、5G通信等新兴产业创新发展注入强劲动力。▌苏州宝士曼工程中心实验室完成第一个客户项目近日，苏州宝士曼工程中心实验室顺利完成第一个客户项目，包含贴片与烧结工艺。据悉，该实验室复刻欧洲技术，聚焦功率半导体领域，为国内模块厂商、新能源车企拉通先进封装的工艺流程提供完整解决方案；实验室于2022年11月揭幕，针对封装开发活动，拥有用于功率模块封装的全套工艺设备、工艺检测和失效分析能力，目前已具备独立承接项目的能力，帮助客户从设计、打样到小批量量产。此外，苏州宝士曼集成电路专用设备也入选2023年江苏省重大项目。吴中高新区官方消息显示，该项目计划总投资10亿元，2023年计划投资3亿元，占地面积50亩，建筑面积约7.5万平方米。项目建成后用于第三代半导体及集成电路专用设备的研发生产，将加速助推宝士曼研发和生产装配能力在苏州落地。达产后将实现年产半导体封装设备250套，预计产值8.5亿元，税收7000万元。▌盛美上海首次获得

▌泰科天润总部项目举行开工奠基仪式3月27日，据中关村顺义园官微报道，泰科天润总部项目举行开工奠基仪式。据悉，泰科天润总部项目位于中关村顺义园三代半产业基地，规划建筑面积4.6万平米，主要用于总部基地建设。项目建成后，泰科天润将整体迁入中关村顺义园三代半产业基地内，进一步统筹技术开发、工程化、标准制定、应用示范等环节，研发生产用于新能源汽车、国家电网等领域的功率器件，推动商业模式创新和市场拓展，服务好更多的下游产业，进而将有效带动顺义区第三代半导体产业发展。目前，顺义区已初步形成从装备到材料、芯片、模组、封装检测及下游应用的产业链布局，三代半产业集群效应初显。▌总投资2.5亿元，合盛硅业上海研发制造中心动工近日，据上海嘉定官微报道，合盛硅业（上海）有限公司上海研发制造中心在南翔动工。项目预计总投资2.5亿元，计划2024年底竣工，达产后年产值约7.1亿元。据悉，该项目位于南翔镇永乐片区JDC2-0501单元02-04地块，东至鹤槎南路、南至永乐公寓、西至华曹江、北至翔江公路，占地面积约1万平方米，拟建3栋主体建筑，总建筑面积约4万平方米。上海研发制造中心建成后，将依托公司自有技术，着力研发第三代半导体碳化硅长晶技术和有机硅材料高端产品，助力打造上海碳化硅晶圆和有机硅产业生态圈。▌清华大学苏州汽车研究院与至信微电子共建“碳化硅联合研发中心”近日，清华大学苏州汽车研究院和深圳市至信微电子在苏州吴江举行“碳化硅联合研发中心”签约仪式。据悉，该研发中心旨在推动碳化硅技术在汽车电子领域的研究和运用，加速第三代半导体碳化硅在新能源车产线前端应用的落地与定制开发。据了解，研发中心将依托清华汽研院的行业地位和技术优势，结合苏州市的资源优势、产业优势，组建研发团队。在碳化硅芯片及其功率器件等领域，开展创新研究、科技成果转化、产业孵化、技术服务等工作；建立新能源汽车新兴产业集群新生态；全面提升碳化硅芯片及模块产业板块研发实力，成为国内领先的碳化硅芯片及模块模组产业技术研发平台，并形成碳化硅产业高层次人才集聚中心。清华大学苏州汽车研究院院长成波表示，“碳化硅联合研发中心”是结合下游的尝试，希望能实现从器件到零部件的迈进，形成自主可控的供应链体系，突破碳化硅应用的难题；至信微电子成立于2021年，目前公司产品已经成功研发出1200V，1700V系列高压、大功率碳化硅MOSFET产品开发和量产，可以提供车规等级的产品，且产品已通过1000小时的HVH3TRB可靠性验证。▌科友半导体：第三代半导体产学研聚集区项目一期投产，二期将于近期开工据人民网3月26日报道，哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司（以下简称“科友半导体”）开发的高性能碳化硅长晶装备和高质量衬底产品实现规模化生产。自主研发的第三代半导体碳化硅产品不仅具有晶体生长周期短、良率高等优势，而且将衬底成本降低一半以上。据报道，科友半导体建设的省重点项目第三代半导体产学研聚集区一期工程已投入生产；第三代半导体产学研聚集区二期工程将于近期开工建设，建成后将实现年产导电型碳化硅衬底15万片。▌成都希桦科技先进半导体材料及装备产业化基地项目签约落地近日，邛崃市半导体产业重点项目签约授牌仪式暨成都希桦科技有限公司投运典礼在成都邛崃市天府新区半导体材料产业功能区举行。仪式现场，邛崃市政府与希桦科技完成崃山先进半导体材料及装备产业化基地的签约，双方将就半导体材料、装备等相关领域开展全方位合作，携手打造国内领先的半导体材料和装备产业集群。值得一提的是，希桦科技与四川大学的物理学院及微电子技术四川省重点实验室达成全面产学研合作，在成都邛崃落地“芯片加工技术及设备研发中心”，并在此基础上共建“第三代半导体芯片加工技术研究室”。▌英飞凌发布新品：光伏用1200V

Lai*点击“阅读原文”，免费领取#功率SiC采购指南

Bhattacharya*点击“阅读原文”，免费领取#功率SiC采购指南

▌利普思半导体完成逾亿元Pre-B轮融资继续扩大新能源汽车用SiC模块量产产能来源：36Kr创投近日，据36氪报道，利普思半导体宣布完成逾亿元人民币Pre-B轮融资，本轮融资由和高资本领投，上海瀛嘉汇及老股东联新资本跟投。融资资金将主要用于公司在无锡和日本工厂产能的提升，扩大研发团队，以及现金流储备。利普思半导体成立于2019年，是一家专注于高性能和高可靠性的碳化硅（SiC）模块的功率半导体制造商，总部设在中国无锡，在日本也拥有研发中心和生产线。产品方面，利普思的主要产品群已完成可靠性认证，产品族谱大大扩展。其中针对新能源汽车领域，公司推出了面向EV主驱逆变器的HPD系列，面向燃料电池汽车及机械车辆的ED3S、ED3H系列，面向汽车空压机的E0和E2系列等各型SiC功率模块，电流覆盖25A至1000A，可实现从几kW到400kW以上的应用。利普思半导体的高性能SiC与IGBT功率模块系列产品产能方面，2022年利普思位于无锡和日本的两个车规级SiC模块封装测试产线均已正式投产，将在2023年逐步展开大批量生产交付。丁烜明谈道，经过本次Pre-B轮融资，到今年6月份，公司位于日本的工厂产能将达到30万只/年，而无锡工厂在覆盖SiC模块生产和测试的同时，也兼顾车规级IGBT模块，产能将达到90万只/年。利普思半导体的工厂车间落地方面，利普思的HPD系列SiC模块在去年已成功通过欧洲整车厂客户的样品测试，以及国内新能源整车厂的选型和测试，并在第三方SiC控制器上进行了充分的负载验证。同时，公司的功率模块已经实现对美国著名逆变器客户的批量出货，该客户在其应用领域是全球最大制作商之一，拥有近百年历史。在2023年，利普思将全面扩充乘用车、商用车、氢燃料电池、充电桩、光伏/储能、特高压等各大产品线。不仅如此，公司还计划在国内建立一个百万级IGBT和SiC模块的生产基地，产能预计将实现十倍增长，预计于明年年底投产，以更好地满足未来SiC模块更大的市场需求。▌厦门大学实现8英寸碳化硅外延生长近日，厦门大学成功实现了8英寸（200mm）碳化硅（SiC）同质外延生长，成为国内首家拥有并实现该项技术的机构。厦门大学科研团队负责人表示，通过克服了8英寸衬底应力更大、更易开裂、外延层厚度均匀性更难控制等问题，成功实现了基于国产衬底的碳化硅同质外延生长。外延层厚度为12

随着新能源汽车的火热，SiC逐渐显露出了成为功率器件后起之秀的潜质。根据市场分析机构Yole的预测，在未来五年，SiC功率器件在整个功率器件市场的份额将高达30%。到2027年，整个行业规模也将会高达60亿美元。再者，最近据TrendForce集邦咨询发布报告称，随着安森美、英飞凌等与汽车、能源厂商合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率器件市场产值达22.8亿美元，同比增长

本文来源：半导体产业纵横（ID:ICVIEWS）综合GaN要快速扩散至各应用领域，仍有层层关卡待突破。氮化镓（GaN）主要是指一种由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表，

▌英飞凌：预计到2027年，碳化硅产能将增加10倍近日，英飞凌召开2023媒体交流会。其中提到，英飞凌看好碳化硅和氮化镓市场发展前景，正在加紧布局和扩大产能。去年，英飞凌宣布马来西亚居林工厂投资逾20亿欧元建造第三个产区，扩大碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体的产能，新工厂计划于2024年投产。同时，菲拉赫工厂将通过对现有硅设备进行改造等方式，将现有的150毫米和200毫米硅生产线转换为碳化硅和氮化镓生产线。预计到2027年，英飞凌的碳化硅产能将增加10倍，届时其碳化硅业务的销售额将增长至约30亿欧元。英飞凌的目标是，通过大幅扩展产能，在未来10年内将公司在碳化硅领域的市场份额提高到30%。▌盛新材料成功产出中国台湾首片8吋SiC衬底近日，据中国台湾媒体digitimes报道，盛新材料已经成功产出台湾首片8英寸SiC衬底。据悉，这是中国台湾成功试产的首炉8英寸SiC衬底，由于中国台湾SiC供应链在8英寸方面仍未成熟，包括没有8英寸的SiC切晶、晶圆厂及器件等产能，所以此次是由中国台湾以外的伙伴完成首片8吋衬底。2022年，盛新表示，目前已购置65台长晶设备，其中50台与广运集团合作自制，产能自制率达75%以上，持续扩产中，该公司称，在所有长晶炉全数启动的假设下，期望良率达70%。▌Navitas与Richardson

Böttcher*点击“阅读原文”，免费领取#功率SiC采购指南

晶圆厂3月14日，三菱电机官网宣布，将在截至2026年3月的五年内将之前宣布的投资计划翻一番，达到约2600亿日元，主要用于建设新的晶圆厂，以增加碳化硅

国星光电SiC-SBD通过车规级认证近日，国星光电开发的1200V/10A

Alamo等*点击“阅读原文”，免费领取#功率SiC采购指南

*点击“阅读原文”，免费领取#功率SiC采购指南

Ph.D.*点击“阅读原文”，免费领取#功率SiC采购指南

Gonzalez*点击“阅读原文”，免费领取#功率SiC采购指南

▍SiC/Si功率器件厂商美浦森半导体完成A+轮融资近日，美浦森半导体完成A+轮融资，由卓源资本领投，本轮融资资金将进一步用于产品迭代升级。美浦森半导体成立于2014年，是一家硅高功率半导体MOSFET/IGBT厂商，核心主创团队来自于中芯国际、华虹半导体、美国AOS、韩国Power

▍爱仕特与瑞福芯科技签订碳化硅合作协议近日，深圳爱仕特科技有限公司（以下简称“爱仕特”）与安徽瑞福芯科技有限公司（以下简称“瑞福芯科技”）签署战略合作协议。基于双方签署的战略合作协议，在未来数年内瑞福芯科技生产的SiC

Gonzalez*点击“阅读原文”，免费领取#功率SiC采购指南

收购了GeneSiC.Hanebeck提出的另一个有趣的观点是，他认为“完全自给自足”是无法实现的。尽管进行了重大收购，我们仍然看到许多晶圆供应协议。例如，英飞凌最近与Coherent就

▍碳化硅芯片设计公司「至信微电子」完成数千万天使+轮融资2月15日消息，国内碳化硅芯片设计公司深圳市至信微电子有限公司宣布完成数千万天使+轮融资，本轮融资由深圳高新投领投，半导体产业基金前海扬子江基金，思脉产融以及老股东金鼎资本、太和资本跟投。本轮融资资金将用于加速公司产品研发、团队扩建以及市场拓展等。深圳至信微电子有限公司成立于2021年，是一家专注于碳化硅功率器件研发的高科技公司，主打产品为碳化硅MOSFET及模组等系列产品，公司团队由来自华润微、台积电、意法半导体等企业的资深人士组成，