中恒微半导体完成新一轮融资，SiC模块持续发力

近日，中恒微半导体官微透露，公司宣布完成了新一轮的融资，本轮融资由毅达资本、合肥创新投、合肥高投参与。

而去年6月，中恒微半导体就完成了由上市公司固德威投资的pre-A 轮融资。固德威长期专注于太阳能、储能等新能源电力电源设备的研发、生产和销售，现已研发并网及储能全线二十多个系列光伏逆变器产品，在光伏户用储能逆变器领域市场份额排名全球第一。

据了解，中恒微半导体成立于2018年，主要从事国产功率半导体（IGBT，SiC）模块研发、设计、制造与系统应用，2020年通过国家高新技术企业和IATF 16949质量管理体系认证（TUV），已建成并投产2条IGBT模块封装产线，年产能100万只，配备世界顶尖的功率半导体封装、测试设备及自动化制造解决方案。产品主要应用于新能源汽车、电机驱动、光伏逆变、工业变频、高频电源等行业。

去年9月，根据华境资环官网公示的《合肥中恒微半导体有限公司高功率IGBT、SiC模块设计与制造项目竣工环境保护验收监测报告》，该项目总投资3000万元，于2022年2月开工建设，同年6月主体工程建设完成并进入生产调试阶段；项目设计年产IGBT、SiC模块共50万只，现实际设计规模为20万只。

而据中恒微半导体有限公司创始人 总经理 袁磊此前采访透露，在做好新能源汽车+工业应用双轮驱动的同时，中恒微继续发力于SiC（碳化硅）模块。

◎ Drive Z3-SiC模块

▲DriveZ3-SiC  内部图
▲DriveZ3  模型图
该模块采用全SiC 技术的三相全桥拓扑结构的车规级功率模块—Drive Z3-SiC_6H002D120T1P。具有1200 V阻断电压、导通电阻仅2mΩ，且适用于电动汽车牵引逆变器的纯SiC全桥模块。该功率模块采用车规级碳化硅沟槽栅MOSFET技术。与平面结构技术相比，沟槽栅结构可实现更高的单元密度，可以在较低的栅极氧化物场强下工作，适用于高功率密度和高性能的应用场景。* 本文内容综合自中恒微半导体等网络* 整理编辑：吴晰

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