瀚薪科技SiC MOSFET及SiC JBS产品获得AEC-Q101车规认证

近日，据瀚薪科技官微消息，公司第四代碳化硅二极管H4S120G020即1200V，20A，TO-247-2和第二代碳化硅MOSFET H2M120F080即1200V，80mΩ，TO-247-3在已通过厂内AEC-Q101可靠性验证的同时，再次取得第三方实验室AEC-Q101车规认证。

◎ 瀚薪H4S JBS/MPS结构肖特基二极管

瀚薪H4S JBS(Junction Barrier Schottky)/MPS(Merged PiN Schottky)结构肖特基二极管，进一步降低顺向导通压降和反向恢复电流，继续保持抗浪涌电流能力强的优异特性，产品从650V至1200V全覆盖，最大电流60A，最小电流2A，通用的标准封装形式，完整符合充电桩、光伏逆变、服务器电源、通信电源、开关电源等产品所需。

◎ 瀚薪科技H2M第二代MOS管

瀚薪H2M延续第一代H1M产品的优越性能，低的Qg，Coss，RDSon等参数可最大程度减小开关和导通损耗，提升系统效率。推荐驱动电压-5V/20V，最大耐受驱动电压-10V/25V，保证门极可靠的开通和关断。优越的耐短路电流的能力，短路时间长达10us，提高系统的可靠度。晶圆从4inch升级为6inch以提高产品良率和产能，晶圆背面采用减薄工艺，进一步降低热阻。全系列量产的车规SiC MOSFET，从650V至1700V，内阻最小可达20mΩ，丰富的产品型号适合各种应用。

文章来源：瀚薪科技

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