年产36万片SiC MOSFET晶圆，长飞先进武汉基地建设正式启动
近日，安徽长飞先进半导体在安徽芜湖隆重举办了以“飞扬”为主题的首届战略发布会。
会上，长飞先进总裁陈重国透露，公司引进了近百名拥有半导体国际大厂背景的核心团队成员，核心团队成员平均15年以上行业从业经验，并成功实现由“Foundry”到“IDM+Foundry”的业务转型，建立了系统的产品开发、产品管理、业务拓展能力，打造了完整的650V-3300V SiC产品矩阵，实现了从光伏、储能、充电桩到新能源汽车等应用领域的全覆盖，同时进一步完善了专业的SiC晶圆代工服务体系，为客户提供更高质量、更全面的产品代工服务。
此外，长飞先进总裁陈重国明确提出“All in SiC-十年黄金赛道”的发展战略，致力于成为“世界领先的宽禁带半导体”公司。
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武汉基地+芜湖研发大楼
项目方面，长飞先进位于“武汉·中国光谷”的第二制造基地建设正式启动，项目一期投资规模超60亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等，预计2025年建设完成，届时将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地，公司产能规模将居行业绝对领先地位。
目前，项目的各项准备工作已经就绪，蓄势待发，公司将按照“高起点规划、高水平设计、高标准建设”的原则，建设一座全智能化的世界级晶圆制造工厂。
值得一提的是，“飞扬”战略发布大会当天，公司位于安徽芜湖的12层研发大楼正式启用，成为继公司上海技术中心后的又一个研发基地。
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A轮股权融资进展顺利
融资方面，长飞先进良好的发展势头引来了投资机构的广泛关注，正在进行的A轮融资进展顺利，融资规模或创国内第三代半导体开始发展以来行业单笔私募融资最高记录。
本文参考来源：长飞先进官微
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