“复旦系”碳化硅项目获突破！清纯半导体研发基地启用

■ 信息来源| 清纯半导体、化合物半导体市场

2月3日下午，“复旦大学宁波研究院重大产业化项目-清纯半导体研发基地启用仪式”成功举办。

1

研发基地情况

据了解，研发基地总面积4600平米，建设四大实验平台：一楼建设器件性能测试平台、晶圆测试及老化平台；三楼建设可靠性及应用平台；四楼建设器件测试及老化平台。实验室总规划面积超2500平米，配备了国际领先的功率器件参数测试及可靠性设备，平台总投入近亿元，具备支撑月产近千万颗碳化硅器件的测试及筛选能力。

2

各大车企锁定SiC功率器件

清纯半导体成立于2021年3月，是一家聚焦于碳化硅(SiC)功率芯片的高科技设计公司，专业从事高端SiC功率器件的研发与产业化，公司拥有国际领先水平的SiC器件设计及工艺团队，核心团队从事SiC工艺和器件20余年，研发和产业化多代SiC功率器件，并通过车规级测试，并于12月完成由高瓴创投领投的数亿元首轮融资。成立以来，清纯半导体就突破了国产SiC功率器件设计及大规模制造瓶颈。先后推出国内首款15V驱动SiC MOSFET及国内最低导通电阻SiC MOSFET，并通过AEC-Q101车规认证和HV-H3TRB测试。当下，以碳化硅为代表的第三代半导体产业正在迎来爆发。据TrendForce集邦咨询研究，为进一步提升电动汽车动力性能，全球各大车企已将目光锁定在新一代SiC功率元件，并陆续推出了多款搭载相应产品的高性能车型。随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术，TrendForce集邦咨询预估2022年车用SiC功率元件市场规模将达到10.7亿美元，至2026年将攀升至39.4亿美元。

责任编辑：陆颖 

电话：[phone]

联系邮箱：[e-mail]

【免责声明】鉴于本平台发布稿件来源广泛、数量较多，如因作者联系方式不详或其它原因未能与著作权拥有者取得联系，著作权人发现本平台转载了其拥有著作权的作品时，请主动与本平台联系， 提供相关证明材料，本平台将及时处理；本平台文章转载目的在于传递更多信息，并不代表本平台赞同其观点和对其真实性负责；如其他媒体、网站或个人转载使用，需保留本平台注明的“稿件来源”，并自负法律责任。

【版权声明】图文转载于网络，版权归原作者所有，仅供学习参考之用，禁止用于商业用途，如有异议，请联系我们进行删除。

扫码加入中国高端无机硅行业通讯录