Navitas启动碳化硅外延片产能建设计划！

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近日，据外媒报道，继收购碳化硅器件供应商Genesic后，Navitas日前又宣布了一系列所谓战略制造投资中的第一项，以加强对产业链控制、减少成本并提高其GeneSiC碳化硅业务的营收能力。

根据规划，最初的2000万美元投资将在公司位于加利福尼亚州托伦斯的总部建立一个三反应腔的SiC外延生长设施，第一台具有6、8英寸晶圆处理能力的AIXTRON G10-SiC外延设备预计将于2024年安装到位并投产。Navitas将其新设施提供的外延片制造视为关键工艺步骤，可以支持高达2亿美元的额外年产量。该公司同时预计，将继续使用第三方供应商进行额外的外延生长、晶圆制造和封装操作。Navitas首席运营官/首席技术官兼联合创始人Dan Kinzer表示：“在原始SiC衬底上生长高质量的外延层是单个设备制造的关键工艺步骤，将AIXTRON提供的能力添加到现有的分包工艺流程中可扩大可用产能，降低成品晶圆成本，增加质量并缩短周期时间” 。Navitas对内部EPI能力的投资是支持该公司最近透露的7.6亿美元的潜在意向订单的几项举措之一，该计划基于客户表达的初步兴趣，虽然转化为订单或出货量除了拥有可用产能外还取决于许多因素，但该公司预计其EPI产能扩张将在大多数预期规划情景下提供有利的投资回报。

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责任编辑：陆颖 

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