■ 信息来源| 爱集微、天天智驾（本文由“SAGSI硅产业研究”整理后发布，转载请注明出处）在当前全球碳化硅功率市场高景气行情下，SiC处在爆发式增长的前期，扩产放量是行业关注重点。
国际大厂产能加速扩张，都在积极布局SiC市场，争先恐后加码扩产。
1月宣布计划在江苏苏州建设一家工厂，生产SiC功率模块、一种半导体和集成制动系统在内的技术，为当地汽车制造商提供研发、测试和制造汽车零件以及自动驾驶技术。4月同意购买美国加州芯片制造商TSI半导体公司的关键资产，并投资15亿美元扩大美国电动汽车SiC芯片的生产。这两个项目合计投资约25亿美元。于1月计划在2023年资本支出金额达40亿美元，主要用于扩产12英寸晶圆厂和增加SiC制造能力，包括在基板方面的计划。6月又计划与三安光电在中国成立8英寸SiC器件制造合资企业，建设总额预计约达32亿美元，预计2025年第四季度投产，在2028年全面建成。两个项目合计支出72亿美元。2月，Wolfspeed计划在德国萨尔州建设投建全球最大的8英寸SiC工厂。Microchip于2月计划扩大其位于美国科罗拉多州斯普林生产基地的SiC和Si产能，该园区目前主要生产6英寸晶圆产品，未来还将增加8英寸晶圆产线。该项目投资约8.8亿美元。Pallidus是SiC粉料及衬底厂商，拥有M-SiCTM技术，其于今年2月计划在美国约克县建设一个SiC项目，涵盖粉料、衬底和外延生产制造。项目投资预计超4.43亿美元。其于今年3月计划在2021-2025财年投资2600亿日元拓展功率半导体业务，其中1000亿日元用于建造一个新的8英寸SiC晶圆厂，并增强相关生产设施，应对电动汽车市场的扩张需求。计划在2021-2025年向SiC领域投入1700-2200亿日元，相比2021年，2025年SiC产能预计提升6倍，到2030年提升25倍。Soitec于3月31日在法国柏林举行四工厂奠基仪式，计划建设SiC衬底SmartSiC工厂，既定目标是每年生产晶圆50万片，最终将突破百万大关。该项目预计投资超2亿欧元。安森美于今年5月计划在美国、捷克共和国或韩国扩产电动车用SiC芯片。项目总投资计划为20亿美元。X-FAB于今年5月计划五年内投资2亿美元在美国德克萨斯州扩产SiC。GlobiTech于今年5月计划投入1.005亿美元建设SiC晶圆扩产项目，将为德州仪器和英特尔等供货，该项目已获得美国德州谢尔曼经济发展公司的200万美元投资。该公司已被环球晶收购，后者计划在GlobiTech延伸扩产SiC外延。Aixtron于今年5月计划在德国Herzogenrath基地新建一个创新中心，包含1000平方米的洁净室空间，提升SiC等半导体沉积设备的产能和研发能力。项目投资预计为1亿欧元。Resonac（原昭和电工）于今年6月计划对旗下4个SiC工厂的生产设施进行升级，主要生产SiC衬底和外延；SiC衬底，预计2027年4月实现供应，年产能为11.7万片/年（折合6英寸）；SiC外延片预计2027年5月实现供应，年产能为28.8万片/年（折合6英寸）；5年内SiC外延片业务的销售额将比2022年增长5倍。项目总投资约309亿日元。6月，住友电工也计划对旗下2个SiC工厂的生产基础设施进行升级，主要产品为SiC衬底和外延；产品预计2027年10月实现供货，其中SiC衬底年产能为6万片/年（折合6英寸计算)；SiC外延年产能为12万片/年（折合6英寸计算）。该项目计划投资为300亿日元。不仅国际巨头“跑马圈地”，国内企业也不甘落后，纷纷布局碳化硅，扩张产能，试图以国产替代争夺市场份额，提升产品的价值量或出货量。
利普思半导体于今年3月完成超亿元Pre-B轮融资，资金拟用于提升无锡和日本工厂的产能，扩大研发团队及现金流储备，并计划在国内建立一个百万级IGBT和SiC模块生产基地，产能预计增长10倍，预计明年底投产。中科意创也在今年3月完成了数千万元A+轮融资，资金拟用于建设功率半导体先进封装产线。今年5月，天岳先进上海临港项目拟通过优化生产工艺，调整生产那设备、原辅材料、公辅环保设施等方式提高产品质量及产量，调整后6英寸SiC衬底生产规模扩大至96万片/年，产能将扩充220%。时代电气于6月计划建设中低压功率器件产业化项目，包括宜兴子项目（58.26亿元）、株洲子项目（52.93亿元），建成达产后，前者可新增8英寸中低压组件基材产能36万片/年，并预留36万片/年生产能力，产品用于新能源汽车领域;后者可新增8英寸中低压组件基材产能36万片/年，产品主要应用于新能源发电及工控、家电领域。项目总投资约111.19亿元。6月，南砂晶圆SiC扩产基地项目计划落地济南，项目实施方为其全资子公司山东中晶芯源（6月完成注册），项目计划2025年满产达产，预计产值可达50亿元以上。长飞先进于今年6月拟建设第三代半导体功率器件生产项目，建设内容包括外延、晶圆制造、封测等产线，建设完成后将形成6英寸SiC晶圆及外延36万片/年，功率器件模块6100万个/年。6月，比亚迪半导体也拟在深圳市坪山区比亚迪汽车生产基地建设SiC外延中试线量产项目，扩建后将新增SiC外延片产能6000片/年，总产能达18000片/年。电话：18171369238
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