投资2亿美元，安世半导体将新建8英寸SiC产线
6月27日，半导体制造商Nexperia（安世半导体）宣布，计划投资2亿美元（约合人民币14.5亿元）开发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等下一代宽带隙半导体（WBG），并在德国汉堡工厂建立生产基础设施。
同时，硅（Si）二极管和晶体管的晶圆厂产能也将增加。这些投资是与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士在生产基地成立100周年之际共同宣布的。
为了满足对高效功率半导体日益增长的长期需求，安世半导体将从2024年6月开始在德国研发和生产SiC、GaN和Si三种技术的产品。这一举措充分展现了公司对电气化和数字化领域关键技术的有力支持。SiC和GaN半导体使数据中心等高功率应用能够以出色的效率运行，同时也是可再生能源应用和电动汽车的核心构件。这些宽禁带技术具有巨大的潜力，对实现脱碳目标越来越重要。
安世半导体德国首席运营官兼常务董事Achim Kempe表示：“这项投资巩固了我们作为节能半导体领先供应商的地位，使我们能够更负责任地利用可用电能。未来，我们的汉堡晶圆厂将覆盖全系列的宽禁带半导体，同时仍是最大的小信号二极管和晶体管工厂。我们将继续坚定执行我们的战略，为标准应用和高耗能应用生产高质量、具有成本效益的半导体，同时应对我们这一代人面临的最大挑战之一：满足日益增长的能源需求，同时减少对环境的影响。”
为了满足对高效功率半导体日益增长的长期需求，从2024年6月开始，安世半导体三种工艺（SiC、GaN和Si）器件都将在德国开发和生产。
同月，安世半导体首批高压GaN d-mode晶体管和SiC二极管生产线投产。安世半导体指出，下一个里程碑将是建设SiC MOSFET和低压GaN HEMT 8英寸现代化高性价比生产线，这些产线预计在未来两年内在汉堡工厂建成。
与此同时，这笔投资还将有助于德国汉堡工厂现有基础设施的进一步自动化，并通过系统地转换到8英寸晶圆来扩大硅生产能力。安世半导体在扩大无尘室面积后，还将新建研发实验室，以继续确保未来从研究到生产的无缝过渡。
安世半导体德国首席运营官兼董事总经理Achim Kempe评论道：“这项投资巩固了我们作为节能半导体领先供应商的地位，使我们能够更负责任地利用可用的电能。未来，我们的汉堡晶圆厂将覆盖宽带隙半导体的全系列，同时其仍然是最大的小型信号二极管和晶体管工厂。”
推荐阅读
【免责声明】本平台部分内容转载于网络，目的在于传递更多信息，并不代表本平台赞同其观点和对其真实性负责；若有侵犯您的权益或其他不适宜之处，请联系我们，并提供相关证明，本平台将及时处理。如其他媒体、网站或个人转载使用，需保留本平台注明的“稿件来源”，并自负法律责任。