约300亿，重庆三安意法碳化硅项目最新进展

■ 信息来源 | 今日半导体（本文由“ACMI硅基新材料大会”整理后发布，转载请注明出处）

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6月30日，在重庆三安半导体有限公司一号衬底厂房外，八台长晶炉整齐排列，伴随着礼炮与欢呼的交织，重庆三安主设备进机仪式圆满结束。标志着重庆三安衬底工厂通线，即将进入倒计时阶段。

据重庆三安基建负责人透露，项目主厂房已于去年12月完成结构封顶，今年5月完成外墙装饰，6月完成室外道路接驳，目前整体建设进度已完成95%以上，正处于设备进场安装调试的关键阶段，也是收尾攻坚的重要阶段。公司全体员工及施工单位、专业分包单位正全力以赴赶工期，在市、区级项目专班的全力推进下，配套公路、正式水、电相继完工，为项目整体顺利实施提供了坚实保障，预计8月底将实现衬底厂的点亮通线。

三安意法碳化硅项目总规划投资约300亿元人民币，项目达产后将建成全国首条8吋碳化硅衬底和晶圆制造线，具备年产48万片8吋碳化硅衬底、车规级MOSFET功率芯片的制造能力，预计营收将达170亿人民币，将有力推动重庆打造第三代化合物半导体之都。

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