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硅宝科技：申请低膨胀硅碳负极新专利
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7月5日，天眼查知识产权信息显示，硅宝（眉山）新能源材料有限公司、成都硅宝科技股份有限公司申请一项名为“低膨胀硅碳负极材料及其制备方法、负极片和扣电电池”、公开号CN202410409696.7，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，本发明公开了低膨胀硅碳负极材料及其制备方法、负极片和扣电电池，属于二次电池技术领域，尤其涉及两类负极材料（硅负极结构1及硅负极结构2）。硅负极结构1与硅负极结构2均包含四类成分:内部的基体材料、内部基体周围硅成分、内部的硅碳化硅成分、表面包覆层。在本发明的硅负极结构1中，硅成分主要包覆在碳化硅成分表面。在本发明的硅负极结构2中，硅成分与碳化硅成分均分散在基体结构中。硅负极结构1通过气相工艺制备，硅负极结构2通过砂磨/球磨工艺制备。本发明通过在硅碳负极材料中引入微量碳化硅，不仅兼顾容量和首效，而且极片的480mAh/g容量膨胀率明显降低。推荐阅读
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