可极大程度提高热导率！中国建材申请一种氮化硅陶瓷基片及其制备方法专利

■ 信息来源 | 天眼查（本文由“ACMI硅基新材料大会”整理后发布，转载请注明出处）

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2024年7月12日，中材高新氮化物陶瓷有限公司申请一项名为“一种氮化硅陶瓷基片及其制备方法”的专利，申请公布号为CN118359442A。

摘要

本发明涉及无机非金属材料领域，具体涉及一种氮化硅陶瓷基片及其制备方法。本发明提供的一种氮化硅陶瓷基片，所述氮化硅陶瓷基片的原料包括氮化硅、氢化镁和含稀土金属元素的物质。本发明采用将氮化硅、含稀土金属元素的物质与特定的氢化镁进行组合，一方面降低了氮化硅陶瓷基片中氧元素的总量，另一方面降低了氮化硅陶瓷基片中晶格氧/非晶格氧的比例，进而极大程度的提高了热导率。

技术背景

氮化硅陶瓷具有较高的本征热导率，但其晶格氧含量严重限制了其热导率的提升。在氮化硅陶瓷的制备过程中，氮化硅原料粉体表面固有的氧含量以及排胶、烧结过程中的氧化反应增加了氮化硅制品(基片)的晶格氧含量，严重限制了热导率的提升。中国专利CN112811912B公开了一种高性能氮化硅陶瓷基片的批量化烧结方法，方法为（1）将氮化硅陶瓷基片素坯叠放在氮化硼坩埚中，且在相邻氮化硅陶瓷基片素坯之间涂敷一层氮化硼粉体；（2）分步骤抽真空后，在氮气气氛或还原性气氛中、500～900℃下进行脱粘；（3）然后在氮气气氛中、1800～2000℃下气压烧结，实现高性能氮化硅陶瓷基片的批量化制备。该发明在制备过程中采用抽真空及在烧结过程中采用氮气气氛，虽然降低了制备过程中的氧含量，但所制备的氮化硅陶瓷基片的热导率还较低。针对现有技术中氮化硅陶瓷热导率较低的问题，本发明提供了一种氮化硅陶瓷基片及其制备方法。

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