不懂就问 || 千呼万唤，催化免费公开课答疑第一弹~

催化免费公开课课后解答

终于来啦！

公开课上的内容都会了没

不会也没关系

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老师带着答案走来了

提问！

回答！

 1  带隙2.0，是最佳的数值吗，有什么依据？

答：为了保证光生载流子的氧化性与还原性，以及良好的可见光吸收，一般认为最佳的带隙在2.0 eV左右。
 2  导带越高，价带越低，氧化性还原性哪个越好呢？
答：导带底CBM的位置越高，光生电子的还原性越强，价带顶VBM的位置越低，空穴的氧化性越强。
 3  d带中心的含义是什么？
答：电子填充d带达到一半时，对应的能量称之为d带中心。
 4  过度金属配合物的d带中心有可能大于零吗？
答：有可能，纯金属体系的费米能级一半都比较高，d带中心可能大于0。
 5  怎么确定正确的氧化还原电势，不同文章里同一个东西的氧化还原电势经常不同，比如有的说水/羟基自由基的是2.73，有的说2.01，有的是1.9多？
答：一般氧化还原电势引用别人的文献值，也可以自己测量，实验条件有差异，因而存在偏差。
 6  怎么确定计算哪一种元素的DOS?
答：主要计算吸附活性位点对应过渡金属元素的DOS。
 7  光催化中载流子的迁移速率怎么算的啊?
答：载流子迁移率要结合能带结构计算载流子有效质量，再根据迁移率公式计算得到。 8  gap为0,band中心移动有意义嘛？
答：有意义的，d带中心理论和体系的带隙值无关。
 9  比如理论计算有空位的La确实提高了ORR和OER，那做出来材料以后，用什么测试手段来确定我做的材料出现了和理论计算模型一样的空位呢
答：计算的模型与实验结构一般保持一致，XRD，扫描电镜都可以确定晶体结构与表面模型，吸附结构也可以利用STM扫描确定。
 10  如何区分本征半导体和间接半导体从DOS图?

答：能带理论有相应的介绍，直接带隙半导体和间接带隙半导体是通过能带结构计算区分的，DOS无法区分。

 11  DOS如何知道来至反键轨道?

答：非金属元素成键有成熟的轨道理论，晶体中原子的轨道能级分裂成晶体能带，可以区分成键、反成键轨道。

 12  Z型异质结和2型异质结到底怎么区分?

答：异质结的类型主要由两种材料CBM和VBM相对位置划分不同类型，具体标准可以查看固体物理能带理论部分。

 13  结合最佳构型是如何获得呢?

答：吸附结构是考虑所有的吸附位，利用吸附能最大确定最稳定的吸附构型。

 14  量子点一般选取多少原子建模？

答：计算中的量子点模型一般不超过100个原子。

 15  这样的话价带上移，空穴足够氧化水吗？Z型异质结有可能纯在吗?

答：水的氧化势能是确定的，价带顶在水的氧化势能以下就可以。

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