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文献解读 || Nature:中科大朱彦武教授团队构建出新型人工碳晶体!

唯理计算 科学指南针一测试万事屋 2023-07-10




研究背景


前报道过具有连接C60分子的共价键的碳结构,但它们的生产方法通常会产生非常少量的样品,这限制了潜在应用所需的详细表征和探索。近日,中国科学技术大学朱彦武教授课题组在国际顶级期刊《Nature》上发表了题为“Long-range ordered porous carbons produced from C60”的研究型论文。该研究通过对富勒烯C60分子晶体进行电荷注入,在常压条件下构建了C60聚合物晶体以及长程有序多孔碳晶体(LOPC),并实现了其克量级制备。


文章内容


图1:形态和结构表征


在550°C的环境压力下,α-Li3N催化C60分子之间的共价键,产生长程有序多孔碳(LOPC)晶体。扫描电子显微镜(SEM)图像1a显示,LOPC保持了原始C60晶体的晶粒状形态。图1b显示了(1)fcc C60 (s)的X射线衍射图(空间群:Fm−3m)和(2)fcc C60(s)的LOPC的X射线衍射图,其峰较宽,但仍具有长周期。当退火温度高于550°C时,LOPC的X射线衍射图1c显示出逐渐减少的峰,对于在600°C下制备的碳,变成以2θ=22.4°为中心的峰。LOPC的典型拉曼光谱(图1d)具有两个宽带,在1464 cm−1处具有尖锐的峰值,归因于所提出的结构中的五边形拉伸模式,也接近C60的Ag(2)峰和C60聚合物晶体的1,473 cm−1峰。图1e显示NMR(MAS-SSNMR)光谱,143.5ppm的剧烈共振对应于快速旋转中的C60。LOPC的NMR峰的加宽表明碳原子的环境更加复杂。聚合物晶体的NMR光谱中76.0ppm处的峰先前归因于C60分子之间的sp3键合。从Ar吸附/解吸等温线和孔径分布(图1f)中,可以看到LOPC是多孔的。


图2:微观结构表征


如图2a,2b所示,通过透射电子显微镜(TEM)和相应的快速傅立叶变换(FFT)鉴定了原始C60(S)的面心立方结构。图2c中标记的间距归因于fcc C60中的(111)和(220)平面。图2d显示LOPC具有长程有序性。在图2e的放大图像中观察到晶格条纹,图2e的FFT与原始C60的FFT接近,但存在失真。虽然不能观察到LOPC中笼之间的详细原子尺度连接,但区分了单个笼,其结构参数与模型一致(图2f)。图2g,2h中的图像证实了正交结构,其由线性C60聚合物链组成,测量的间距为0.8nm,对应于(011)或(101)面间距。如图2j所示,长度小于3Å的键没有观察到明显的变化,表明三配位碳在新碳中仍然占主导地位。


图3:模拟和现场MAS-SSNMR


从图3a中我们可以识别出与不同碳结构相对应的四个区域:即残余碳和碳炔、富勒烯型、花生形管型和石墨烯型,插图中的结构A至J显示了典型的结构。与没有α-Li3N的条件相比,在含有α-Li3N的C60粉末上进行的原位MAS-SSNMR(图3b)显示,由于对称性的破坏,在388.7°C下观察到13C化学位移峰的加宽和峰值在约145 ppm处的分裂,从而降档。密度泛函理论(DFT)模拟显示,由于电荷转移,Li的吸附也在C60上引入了一个偶极子,这在附近的C60分子上依次引起了另一个偶极子。图3c显示,引入的Li原子降低了两个隔离的C60笼之间形成键的能垒。


图4:DOS、NEXAFS和电导率测量


图4a状态密度(DOS)表明,LOPC具有非常窄的带隙或导电性质。图4b中的碳K-边缘近边缘X射线吸附精细结构(NEXAFS)光谱表明,LOPC晶体中的π*峰比fcc C60和聚合物晶体中的更弱和更宽,表明C 1s的复杂能量跃迁→ π*,而不是C60(s)中定义明确的跃迁。插图4b显示了激发原子的轨道分布,表明LOPC的颈部区域有重要贡献,而C60聚合物晶体主要涉及笼上的轨道,笼之间的sp3键只有非常小的贡献。其中LOPC显示了从图4c中的曲线计算的最高电导率。当在2K下进行测量时,LOPC的电阻率与石墨或还原氧化石墨(rGO)粉末的电阻率显著不同。如图4d所示,尽管在不同的温度下制备,但所有LOPC的电阻率在10–20 K时突然增加4–5个数量级,然后在较低的温度下下降。插图4d所示,当退火温度从550℃增加到600℃时,g值从3.12±0.96逐渐减小到0.027±0.015Ω−1 K−2,表明从半导体性质到金属性质的转变。


文章结论


本研究发现,将α-Li3N和C60(S)在常压和中等温度下混合,可以得到长程有序多孔炭(LOPC),主要由通过sp2碳键连接的断裂C60笼组成。通过与原始的面心立方C60和另一种同素异形体C60聚合物晶体的比较,LOPC已经被广泛的实验表征。模拟结果表明,LOPC是一种在富勒烯碳向石墨烯碳转变过程中出现的亚稳结构,随退火温度的升高,呈现出从半导体型向金属型转变的性质。其合成很容易在半克尺度上进行,为所描述的表征方法提供了足够的材料。


文章链接

https://doi.org/10.1038/s41586-022-05532-0




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