Vol.2：一文搞懂化学机械抛光（CMP）【报告说】

导读

集成电路制造踏着摩尔定律的节奏快速发展，逻辑芯片的特征尺寸已发展至5nm，存储芯片堆叠层数达到128层。CMP成为集成电路制造全局平坦化的重要制程，每一片晶圆在制造中都会经历几道甚至几十道的 CMP 抛光工艺步骤，而抛光对象分门别类，平坦化要求日趋复杂，因此 CMP 对于集成电路制造良率十分关键。

本期【报告说】和大家分享一份关于“化学机械抛光（CMP）”的基础+进阶知识课件。

本次课件从CMP的发展、CMP模块、CMP基础架构引入，讲解抛光设备、抛光工艺以及抛光材料的问题（抛光垫和抛光浆料），分析质量问题、影响生产力的因素以及抛光材料的参数，最后还提到了后CMP清洗及其设备。

以下是知识课件的部分概览：

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