该恒流源电路可以设计出其他电流的恒流源，其基本思路就是：所有的电阻都需要采用高精度电阻，且阻值一致，用输入的参考电压（用专门的参考电压芯片）比上阻值，就是获得的输出电流。

在电路中加入偏置电压VBIAS，只有当VIN大于等于VBIAS时二极管才能导通。此时VOUT被钳位，其值是0.7V+VBIAS，如下图所示。偏压限幅电路示意图钳位电路

为点A提供了一个能量分散通路。如图2所示，温度开关断开时，此时点A是悬空的，A点电压不确定，为高阻态（阻抗无穷大），容易出现误导通的现象，而且也容易受到周围环境干扰，比如静电、雷击等使器件永久损坏。

比较器接了限流电阻—"R74、R77"，这是因为比较器在幅值切换时，快速上升或下降沿对后级容性负载进行充放电，这个充放电电流来自这个有源器件—比较器，因此加限流电阻目的是防止电流冲击。

MOS管因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管，其驱动电路的设计就很关键。下面分享几种常用的驱动电路。一、电源IC直接驱动电源IC直接驱动是最简单的驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。①查看电源IC手册的最大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。②了解MOS管的寄生电容，如图C1、C2的值，这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢，就达不到想要的效果。二、推挽驱动当电源IC驱动能力不足时，可用推挽驱动。这种驱动电路好处是提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。关于MOS管的文章，推荐这篇：MOS管驱动电路设计细节。三、加速关断驱动MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如上图所示，其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小，同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大，把电源IC给烧掉。如上图，是我之前用的一个电路，量产至少上万台，推荐使用。用三极管来泄放栅源极间电容电压是比较常见的。如果Q1的发射极没有电阻，当PNP三极管导通时，栅源极间电容短接，达到最短时间内把电荷放完，最大限度减小关断时的交叉损耗。还有一个好处，就是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源IC，提高了可靠性。四、隔离驱动为了满足高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是隔开直流，通过交流，同时也能防止磁芯饱和。相关推荐👉老外教你DC-DC，做一个开关电源👉DC-DC开关电源电路计算👉解析开关电源的功能电路

Transistor，属于绝缘栅极场效晶体管，以硅片为秤体，利用扩散工艺制作.......有N沟道和P沟道两个型。不仅如此，它还有两个兄弟，分别是结型场效应管以及晶体场效应管.......

开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源。开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成。随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源技术也在不断地创新。目前，开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备，是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。1Buck电路分析Buck变换器是一种降压式非隔离开关电源，当开关管导通时，输入电源通过电感给输出供电，同时电感存储能量；当开关管关断时，电感通过续流二极管给输出供电；如此反复即可维持输出产生一个恒定的电压。其Buck电路拓扑结构以及电路分析计算见图1所示。图1

我们都知道反相放大器能将输入的信号反相放大，这是很基本的知识，学过电路的一般都知道。反相放大器的公式为Vout=-Vin*Rf/Rin.根据已知的公式，能很轻松的完成设计，但反相放大器与生俱来的有个小缺陷，反相输入放大器的输入阻抗不是很高，而我们在电路设计中一般希望放大器的输入阻抗要高，这样放大器才不会从信号源吸收电流，才不会影响待放大信号以及对电路的放大结果产生影响。

辐射在传统设计中的快速边缘速率，即使使用与先前相同的频率和走线长度，也会在无端接传输线上产生振铃。这从根本上导致了更高的辐射，远远超过了无终端传输线路的FCC/CISPR

三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。1

PCB的走线上通过持续电流后会使该走线发热，从而引起持续温升，当温度升高到基材TG温度或高于TG温度，那么可能引起基材起翘、鼓泡等变形，从而影响走线铜箔与基材的结合力，走线翘曲形变导致断裂。

RC滤波器使用等效结构，但是我们有一个电容器代替R2（图10）。首先，我们用电容器的电抗（XC）代替R2（在分子中）。接下来，我们需要计算总阻抗的大小并将其放在分母中。因此，我们有（图11）：图11

②输入滤波电路：C1、L1、C2、C3组成的双π型滤波网络主要是对输入电源的电磁噪声及杂波信号进行抑制，防止对电源干扰，同时也防止电源本身产生的高频杂波对电网干扰。当电源开启瞬间，要对

器件正常运行时不发生的负载短路等引起的过电流，造成瞬时局部发热而导致破坏。另外，由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时，持续的发热使温度超出沟道温度导致热击穿的破坏。内置二极管破坏

如果不考虑纹波和EMI等要求的话，MOS管开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。

高速PCB布线中，一般把数字信号的走线阻抗设计为50欧姆。一般规定同轴电缆基带50欧姆，频带75欧姆，对绞线（差分）为85-100欧姆。Smith圆图在RF匹配电路调试中的应用

在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因PN结合的表面被氧化膜覆盖，稳定性好和寿命长。

当PWM为低电平时，Q2关闭，Q1打开，C1开始放电，放电回路是C1-C2-D1，这实际上也是对C2进行充电的过程。C2充好电后，下正上负，如果VCC的电势为5点几伏，就可以输出-5V的电压了。

什么是下冲(undershoot)：下冲是指下一个谷值或峰值。过分的过冲能够引起保护二极管工作，导致过早地失效。过分的下冲能够引起假的时钟或数据错误(误作)。

借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档，红表笔接S,黑表笔接D，有数值显示，反过来接无数值，说明是N沟道，若情况相反是P沟道。11

除了射频信号和其他有特殊要求的信号，我们PCB上的走线应该优选以45°走线。要注意一点的是，45°角走线绕等长时，拐角处的走线长度要至少为1.5倍线宽，绕等长的线与线之间的间距要至少4倍线宽的距离。

DC-DC有三种常见的三种原理架构：1、Buck（降压型DC/DC转换器）2、Boost（升压型DC/DC转换器）3、Buck-Boost（升降压型DC/DC转换器）设计技巧及主要技术参数选用要求

如果使用单纯RC型低通滤波器，来获得同样的效果，电容取值要比积分器的Cf大得多，需要的容量大概是开环增益值乘以Cf这个数值，这几乎不能实现，或者是造价太高了。

业界经常流行这么一句话：“有两种设计师，一种是已经遇到了信号完整性问题，另一种是即将遇到信号完整性问题”。固态硬盘作为一种高集成度的高时钟频率的硬件设备，信号完整性的重要性不言而喻。借着这句话本文主要跟大家聊下信号完整性的一些基本内容。什么是信号完整性?通俗来讲，信号在互连线的传输过程中，会受到互连线等因素的相互作用而使得信号发生波形畸变的一种现象，这时可以说信号在传输中被破坏了，变得“不完整”。信号完整性没有一个唯一的规范定义，从广义上讲，指的是信号在高速产品中由互连线引起的所有问题。高速数字系统中，信号完整性起着重要作用。如果信号完整性有问题，可能会造成电路无法正常工作。影响信号完整性的关键电气特性就是互连线的阻抗，它是解决信号完整性的方法核心。1.