加入紫光集团和长江存储心路历程 台湾DRAM教父高启全独家告白
外界在看大陆紫光集团进军芯片产业是褒贬参半,更有许多人等着看笑话,对于2016年7月16日正式诞生的长江存储,更让外界摸不着头绪,紫光集团全球执行副总裁暨长江存储代行董事长高启全加入大陆存储器大计画已超过1年,首度公开告白,接受DIGITIMES独家专访,娓娓道来加入紫光的始末,以及长江存储肩负的重任,以下是专访摘要。
问:加入紫光的过程?以及为什么做这个决定?
答:我和赵伟国(紫光集团董事长)原本不认识,2015年时他想购并美光(Micron),打造国家级的存储器产业时,他来找我谈,当时双方对发展储存产业的方向和想法是一拍即合,又有共同目标就是对抗三星电子(Samsung Electronics)。
现在三星独霸全球的存储器芯片,已经成为全世界的问题,唯一的解药就只有大陆来做到全球平衡三星的另一股势力,因此,我当时毅然决然加入紫光集团,一起把大陆的存储器产业做起来,这是我一辈子都想做的事。
假设现在还在台湾,眼前是什么样一个场景?连华亚科都被卖掉了!真的使不上力,加上我本来在南亚科就有退休的打算,总觉得人生可以再拼一把,就把心态调回到创业时,前途虽有风险,但也充满希望。
原本国家集成电路产业投资基金(大基金)做这个大规模的存储器投资计画时,就想集中资源扶植一家公司,避免技术和生产遍地开花,而当时的湖北省政府和武汉新芯对于发展存储器产业也十分有兴趣,因此,希望能争取成为该存储器计画在武汉落地生根,但政府希望能有不同思路的人加入。
当时,紫光也对这个计画很有兴趣,在大基金的牵线下,紫光和武汉新芯就走在一起,由我来参与执行整个NAND Flash技术的建立及量产。
问:长江存储扮演的角色?和目前公司现状?
答:长江存储2016年7月16日正式成立后,就购并武汉新芯100%股权,成为发展存储器的中心,紫光在长江存储的资金是2017年1月底正式到位,长江存储的股权结构中,紫光占51%、大基金25%、湖北24%。
现在的武汉新芯约1,200人,另外,长江存储成立至今也招募将近700人(部分武汉新芯内转),当中的研发人员占500人,台湾人约50名。
长江存储在人才的延揽上是广发英雄帖,我们找人才不分地方、国籍,不会特定挖哪里一公司的员工,研发大本营会在武汉,同时在上海、美国硅谷也有研发据点,加入的有美国人、韩国人、日本人及台湾来的干部,长江存储内部的沟通是讲英文的,因为要做国际级的公司。
在生产制造上,分为武汉12寸厂和南京12寸厂两个据点,各自单月产能都是30万片。
在技术上,长江存储的3D NAND技术预计2017年底提供32层3D NAND的样本(sample),这会是公司技术自主的里程碑,代表我们的技术完成打底,之后会跳到64层技术,这个技术世代才是长江存储打算大量投入生产的时间点,3D NAND技术发展到最后会慢下来,我们会与三星、SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)等国际大厂的技术差距,缩短至一代技术左右。
问:外界对于你们到处盖晶圆厂很疑惑,一来担心产能乱投?二来也忧心是否虚晃一招?
答:长江存储在武汉和南京的12寸晶圆厂都是早就规划好的,存储器生产就这两座,不会再有其它的。
外界也绝对放心,第一,我们绝对不会乱投产,一定等到自己的技术成熟及有竞争力之后,才会投入量产,我们不急、不躁进,时间站在我们这边;第二,长江存储绝对会走技术自主研发,就因为如此,技术扎根是急不来的,我们会慢慢做、有计画的做,千秋大业不能急。
问:在3DNAND和DRAM自主技术上,与美光接洽的如何?
答:在自主研发的同时,也随时欢迎共同研发的合作伙伴加入,不只是3D NAND技术是如此,DRAM技术的发展过程也保留此弹性。
我认为,无论是DRAM和3D NAND技术,最好的合作伙伴是美光,但现在政治气氛不对,美国很担心大陆半导体崛起的威胁,因此我们和美光洽谈的时间延长。
我非常忧心现在韩国控制全球DRAM市占率高达80%、NANDFlash市占率60%,此局势再发展下去,不用几年的时间,韩国就会掌握全球90%的存储器芯片,这是全世界都该害怕的事情。
看看现在全球DRAM产业,唯一的非韩阵营是美光(Micron),其市占率从28%掉到18%,抗韩力道已越来越薄弱,美光和长江存储合作是最好的组合,我们有庞大的12寸产能随时准备奥援,这些都是对抗三星的子弹利器,全世界储存领域变化如此之大,谁会想到SanDisk、东芝有一天会卖?未来什么事情都有可能发生。
问:为什就如此坚持要存储器技术自主?
答:如果DRAM或NAND Flash授权生产,等于再走回过去台湾发展DRAM产业失败且惨痛的老路,台湾因为资源不足,分散成7~8家自己去打拚且各自为政,失败的经验变成很大的教训,反观大陆,要发展存储器产业一定要集中资源、自主技术,同时绝对不能窃取别人技术。
长江存储已经开始累积自己的3D NAND专利,有侵犯到别人的专利我们会付钱,别人用到我们的专利时也要付我们钱,自主开发一定要用合法的方式来获取,绝对不能窃取技术,唯有正派、持续的前进,才能吸引到全球的人才,打造国际化的规格,且获得尊重。
问:DRAM技术已经走到瓶颈,合作开发会朝什么方向?会不会做新式存储器技术?
答:DRAM制程技术的发展逐渐慢下来同时,产品应用端是更为多元化,举例而言,台积电的fan-out封装技术帮苹果(Apple)生产iPhone处理器芯片,是一个非常成功的典范,让大家见识到半导体产业可以透过精巧的封测技术包装,创造大家为之惊艳的价值,因此,DRAM产业前景仍是很光明,且更需要合作伙伴的加入,共同把更多元化的市场之门打开。
因此,我们在朝3D NAND技术开发,短期内不会考虑新式存储器的开发。
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