没上过大学，拥有400多项发明专利，没有他就没有intel的3D XPoint 芯片，人称“现代爱迪生”

《经济学人》杂志把斯坦福•奥弗辛斯基（Stanford Ovshinsky）称作“我们这个时代的爱迪生”，或许大多数人并不熟悉这个名字，但这一称谓依旧非常适合他。

坦福•奥弗辛斯基

和爱迪生一样，奥弗辛斯基也是一位自学成才且多产的发明家。在他的400多项专利中，关于镍氢电池的一些专利至今仍为许多混合动力汽车提供动力，同时也是大规模生产价格合理的薄膜太阳能电池板的方法。

镍氢电池及许多其他技术都诞生在奥弗辛斯基的卓越研发实验室——“能量转换设备工厂”（ECD），类似于爱迪生“门洛帕克开发实验室”的发明工厂。但现在看来，奥弗辛斯基最为不朽的遗产是他在ECD之前所取得的成就，当时他是一位独立发明家，而不同于爱迪生的发明，奥弗辛斯基的这项发明发源于自己的一项基础科学发现。

奥弗辛斯基于1922年出生在俄亥俄州的亚克朗市，成年后在该市的商店和工厂里做机械工及工匠。1946年他发明了一种创新的自动化车床——这是他的第一项重要发明，而后他继续将自动化应用在其他设备上。遵循维纳控制论原理，奥弗辛斯基对机器控制装置和有生命的神经系统之间进行了类比，从而于1959年发明了一种强大的电化学开关。

这种装置依赖于覆盖其钽电极的薄氧化膜，而奥弗辛斯基将其比作神经细胞膜的类似物。当合伙人禁止奥弗辛斯基使用相同材料研发这种开关的诉讼和解时，奥弗辛斯基开始系统性地探索新材料——从而有了他最重要的发现。

奥弗辛斯基关注的是氧族元素，即元素周期表中的归属氧的一组元素（即硫、硒、碲和钋），并尝试了碲化薄膜与砷、锑等相邻元素的融合。他1961年取得的实验结果被称为“奥弗辛斯基效应”——在电阻和导电状态之间几乎是瞬时可逆的转换。当电压达到或低于一定程度时，这种效应就会产生一种开启或关闭的阀值开关。

同时它还产生了一个双稳态的电存储器——可以保持导电状态的开关，直到一个更强的脉冲使其返回到电阻状态。这些半导体器件由无定形（非晶体）材料组成——这是一项被认为是不可能的壮举。在20世纪60年代，固体物理学几乎只研究晶体，人们普遍认为像晶体管这样的半导体器件只能用晶体材料制成。这个发现来自于一个未经认可的局外人——奥弗辛斯基，并与当时的科学假设相矛盾，他的发现最初遭到了强烈抵制，但最终人们还是接受了。

非晶体和无序材料在科学和商业领域发挥着日益重要的作用，这在一定程度上无疑要归功于奥弗辛斯基。他还有一个更具体的贡献，直到现在才显现出来。相变存储器的工作原理是通过在晶体和非晶体之间相互转化，从而利用所表现出来的导电性差异来存储数据。相变存储器首先在光学领域成功实现了商业化——激光脉冲触发了这种变化，而这正是可擦写CD和 DVD光盘的基础。这些都在20世纪80年代开始投入使用，但是电学领域的存储器研发则花费了更长的时间。

作为一种信息技术，相变存储器的成功必须依赖于提高性能。降低功耗要求是通过少许改动完成的，而提高速度则源自一个重要的进步，即对光学存储器的研究产生了具有高转换速度的硫族化合物（Ge2Sb2Te5）。奥弗辛斯基认为，这种化合物在电学存储中会有更好的表现，而他的工作人员在实验中也已经证实了这一点。

即使获得了这样的成功，相变存储器仍然面临着闪速存储器的激烈竞争——芯片制造商已经投入了大量资金。相变存储器的优越性显而易见：更快、需要的功率更小、有更高数量级的可擦写周期，但它的价格更昂贵。正如奥弗辛斯基实验室的一位科学家所言，市场想要的是“便宜而性能又足够好”的产品，而长期以来，闪速存储器一直价格低廉而性能颇佳。

直到2012年（89岁）奥弗辛斯基去世时，相变存储器仍在等待属于自己的时代。研究人员很清楚，硅基闪存最终将会达到微缩的极限，并相信有一天，硫族化合物的相变存储器会取而代之，因为它在微缩方面效果更好。

大多数人认为这可能需要几十年的时间。但令人颇为惊讶的是：在2015年，购买了奥弗辛斯基专利的英特尔和美光科技宣布了他们的3D XPoint芯片，并称“这是存储器处理技术的重大突破，也是自1989年推出NAND闪存以来的首个新型存储器。”随着3D XPoint芯片的更多细节浮出水面，它的基础很显然是奥弗辛斯基的相变技术，使用的设计与他多年前的研究成果也基本相同。

随着21世纪信息技术的进步，奥弗辛斯基50多年前发现的相变存储似乎很可能成为他最重要的遗产。

资料来源：

The Most Important Inventor You've Never Heard of

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