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[新书连载]DBS手术流程 | 张建国 孟凡刚《神经调控技术与应用》第4期

2017-07-14 更多资讯▶ 神外前沿

神外前沿讯,由人民卫生出版社出版,首都医科大学附属北京天坛医院功能神经外科主任张建国教授、副主任孟凡刚教授主编的《神经调控技术与应用》一书,是我国第一部神经调控技术领域专著。《神外前沿》获作者及出版方许可,摘编本书部分精华部分,内容如下:


DBS手术流程:  

DBS手术器械包括立体定向系统、微电极和电生理记录系统、植入系统(植入电极和刺激器)等。下面以PD患者为例,介绍DBS的手术流程。


(1)术前准备和术前评价:术前对运动障碍疾病患者进行评估,确定诊断。


(2)安装头架及MRI/CT扫描:局麻下安装立体定向头架,安放时使立体定向基架与前后联合线(AC-PC线)平行,以减少计划系统校正引起的误差。采用1.5T或3.0T磁共振或CT扫描,以层厚2mm(或1mm)的薄层连续水平和冠状断层扫描,图像传输至手术计划系统。如进行CT和MRI融合,则分别进行MRI及CT薄层扫描。


(3)靶点坐标定位:靶点定位采用影像学定位、解剖图谱定位、微电极导向以及术中测试等方法定位。在手术计划工作站确定前连合(anterior commissure,AC)、后连合(posterior commissure,PC)层面,前连合位于胼胝体下方、丘脑前方,后连合位于胼胝体下方、丘脑后方,将AC-PC线的中点定为大脑原点。通过手术计划工作站将MRI图像的轴位、矢状位和冠状位进行三维重建,确定STN三维靶点坐标(图2-1-1-1),使电极尽量穿过STN长轴。


图2-1-1-1  


(4)术中微电极功能定位:局麻下于额部中线旁3~4 cm做头皮切口,冠状缝前行颅骨钻孔。安装立体定向弧形弓架和导向器后,进行微电极功能定位。


微电极定位是PD术中常用的定位方法,采用微电极和电生理记录系统确认靶点。微电极一般由钨或铂-铱制成,尖端纤细,直径2~5µm,微电极阻抗为300~1500kΩ。微电极的放大器与微推进器电生理仪相连,可记录到的单个细胞或核团电信号,经放大后可实时显示,可同时将电信号转换成声音输出,并对电信号的放电方式、频率、波幅及背景噪声结合解剖图谱进行分析。通过识别微电极周围的细胞放电可判断脑部电极的位置。其机制是在脑灰质、白质记录到的细胞外动作电位的波形不同,基底核中不同的神经核团及核团内运动区、感觉区具有各自特征性的电信号类型。微电极可以记录到单个细胞和细胞群的电活动,从细胞水平辨认核团结构,根据不同部位细胞的放电形式确定核团的位置。


根据STN神经元的电生理特征可与周围结构区分。微电极进入STN时,细胞密度和背景噪声增高,放电频率显著增高,表现为高频、高幅及背景噪声较高的簇状放电,伴有不规则间隙性爆发式细胞放电,也可记录到与肢体震颤节律基本一致的簇状放电节律神经元,即“运动相关神经元”或称“震颤细胞”。此时,STN的细胞放电可以随着对侧肢体的被动活动有所反应。典型STN的电信号长度为4~6mm,微电极穿过STN后进入未定带,放电模式突然改变,背景噪声显著下降。微电极进入黑质(Nigra,Ni)后,背景噪声亦较低,但神经元放电节律规整(图2-1-1-2)。


图2-1-1-2  


(5)电极植入及靶点验证:根据微电极记录结果,确认STN核团的上界和下界,定位完成后安放刺激电极。


在电极植入后,为进一步确定电极位置,可于术中再行X线检查或带立体定向头架行CT或MRI检查,进一步确定靶点位置是否准确。由于微电极定位的进步或条件限制,术中X线或CT、MRI一般应用较少。


(6)术中测试:由于STN周围有大脑脚、红核等重要结构,术中测试可以预测术后的刺激效果,协助判断电极位置,因此术中测试十分重要,必要时根据测试效果调整电极位置。测试所用的刺激参数包括刺激电压、频率、脉宽和触点选择。测试包括震颤控制情况、僵直改善情况以及语言、眼球活动、肢体异动情况及其他不适症状等。电压逐渐增加至3.5V以上,观察有无副作用。STN外前方与内囊运动相关,内后方与红核感觉相关,下方与黑质相关。根据患者对刺激的反应,可大致判断电极位置(图2-1-1-3)。如果出现异动,表明电极位于STN核团内;如出现复视、斜视,说明电极偏前内。如出现发音障碍,说明电极偏外;如出现抽搐,说明电极偏前外;如术中患者出现肢体麻木,如为一过性,则不予处理,如持续麻木,说明电极偏后或偏内;此外,患者也可能出现一些非特异症状,如头晕、头昏、恶心、胸闷等不适症状。根据测试结果进行电极植入或考虑更换靶点。


图2-1-1-3  


(7)刺激器(IPG)植入:如患者身体状况许可,尽量选择全麻。如患者身体状况较差,不能耐受全麻,也可选择局麻,将刺激器植入右侧或左侧锁骨皮下。


(8)术后程控:通常在手术后1个月开始,目的是排除由于电极植入对核团的机械性毁损所导致的“微毁损效应”,且使患者度过围术期。在第一次程控时,检查并记录设备的电阻值,一般先程控病情重的一侧,再程控较轻的一侧,逐步调整刺激参数以达到最佳治疗效果。STN的刺激频率一般为130~185Hz,脉宽60~90µs,电压2.0~3.5V。调试时应注意,在使用不可充电电池时,应尽可能低地设置电压、脉宽和频率,如果刺激电压需要>3.6V,可通过降低电压、增加脉宽的方式达到最佳刺激效果,以避免刺激器产生加倍电流、减少电池寿命。尽可能采用双极刺激模式;可根据需要调节参数,如既可连续24小时刺激,也可于夜间关闭刺激器以节省电量,延长使用时间。如使用可充电刺激器,可避免以上问题。


(9)手术疗效:DBS手术可控制PD运动症状如震颤、僵直、运动迟缓等,减少异动持续的时间以及严重程度,减少症状波动,能够长期减少PD的左旋多巴用量,延长开期时间,对运动症状的控制长期有效,能够提高生活质量,改善患者的日常生活能力。一项研究表明,双侧STN-DBS治疗后5年,关期震颤评分改善75%,僵直改善71%,运动迟缓改善49%。DBS手术的并发症见相关章节,此处不再赘述。


(10)术后进行CT和(或)MRI检查:术后CT和(或)MRI检查了解电极位置(图2-1-1-4)。对于曾行毁损手术的患者,也可再行DBS术,电极位置见图2-1-1-5。手术完成后CR图片见图2-1-1-6。


图2-1-1-4  



图2-1-1-5  


图2-1-1-6  


(11)DBS手术的未来发展方向:与其他技术一样,DBS手术也随着医学影像技术以及计算机技术的进步而发展。随着虚拟现实技术、3D导航技术的发展和普及,计算机软件的研发,术中电生理、局部场电位以及影像学核团定位技术的发展,DBS手术会越来越进步。


1、更精确的靶点定位方法:由于磁共振存在影像漂移的问题,因此CT与MRI融合技术的应用有助于提高靶点定位的精确性。亦有应用无框架脑深部刺激系统(frameless deep brain stimulation)的报道,可减轻安放头架带来的痛苦。


2、新靶点的应用:靶点的选择与PD治疗的疗效息息相关。单一的靶点并不能解决PD的所有症状,如STN对PD的震颤、僵直等症状有效,但对PD的起步困难、异动和姿势不稳疗效欠佳。其他靶点如Vim、GPi等也存在类似问题。新近我们对异动明显的PD患者采用Gpi为靶点,则对异动缓解较好,图2-1-1-7所示为GPi-DBS电极位置。有应用桥脑脚核(pedunculopjtine nucleus,PPN)作为靶点的报道,对PD的起步困难和姿势不稳有效(图2-1-1-8)。PPN是一个呈柱形的神经核团,位于中脑被盖下半的腹外侧部、楔形核和楔形下核的腹侧、小脑上脚的外侧、内侧丘系的内侧和背侧,其下方为臂旁核,同纹状体、黑质、GPi、GPe以及STN之间均有纤维投射,参与基底核环路,在运动的起始、加速、减速和终止过程中起作用。亦有选用后丘脑底核区(PSA)的报道,PSA-DBS可以改善PD的僵直、震颤、运动迟缓、步伐僵硬和姿势异常,还可以明显降低运动波动等症状。因此,我们认为,对于不同症状的PD患者,应根据不同症状,选择不同的靶点进行刺激,避免采用单一靶点。


图2-1-1-7  


图2-1-1-8  


3、运动皮层(motorcortex)刺激:其机制是运动皮层是神经环路的一部分,对环路的调节可产生治疗作用。运动皮层与基底核存在纤维联系,通过电刺激运动皮层,减轻皮层的兴奋性,或改变异常活动的运动频率,使其恢复正常的活动模式。


4、DBS装置的改进:电极固定装置由传统的基环固定的方式改进为Stimlock固定,可使电极移位发生的概率显著减少。其他如缩小刺激器体积,研制寿命更长的可充电电池,设计更细、更柔软的延长线,开发与机体相容性更好的材料,可减少并发症出现的机会。此外,建立更合理的术后程控体系,开发可调节刺激方向的刺激电极等,均有望减少治疗的副作用,提高治疗效果。


往期内容:

[新书连载]神经调控技术的范畴|第1期

[新书连载] 运动障碍性疾病的手术治疗之毁损手术|第2期

[新书连载]现代神经调控技术之脑深部电刺激术|第三期


主编简介:


张建国 教授 
教授,主任医师,博士生导师,首都医科大学附属北京天坛医院功能神经外科主任;北京市神经外科研究所功能神经外科研究室主任;中华医学会功能神经外科学组主任委员。


我国著名的功能神经外科学术带头人,主要从事功能神经外科的基础研究和临床工作。二十余年的神经外科生涯中,他成功实施了5000余例神经外科手术,其中癫痫手术就达3000余例,脑深部电刺激手术600余例。


1996毕业于武汉同济医科大学,获博士学位,同年师从中国工程院院士、北京市神经外科研究所所长王忠诚教授进行博士后研究工作,2006年在美国加州大学洛山矶分校(UCLA)学习。


孟凡刚 教授

首都医科大学附属北京天坛医院功能神经外科副主任;主任医师,教授,博士研究生导师,全国优秀科技工作者,北京科技人才研究会理事,中国医师协会神经调控专业委员会委员,北京市卫生系统高层次人才,北京市卫生系统十百千人才,获茅以升科学技术奖、北京青年科技奖、王忠诚中国神经外科医师奖,擅长功能神经外科疾病(帕金森病、癫痫、面肌痉挛、三叉神经痛)的外科治疗,主编《神经调控技术与应用》一书。



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