【CSEAC 2022】中科信参展第十届中国半导体设备年会

第十届中国半导体设备年会（CSEAC)

时间：2022年7月27-29日

地点：无锡太湖国际博览中心

展/商/推/荐

北京烁科中科信电子装备有限公司

展位号：B3-26

     北京烁科中科信电子装备有限公司成立于2019年6月，以中电48所和北京中科信离子注入机业务战略整合而成，是国内集成电路高端工艺装备的领先企业。公司总部位于北京市经济技术开发区（通州）光机电一体化产业基地，在长沙设有分公司。

    烁科中科信产品聚焦集成电路主要应用领域，兼顾化合物半导体、材料加工制备等领域，形成中束流、大束流、高能机、特种、化合物半导体等系列化离子注入机产品体系。CI P系列中束流离子注入机、CI C系列大束流离子注入机已有50多台进入国内最先进的极大规模集成电路生产线，12英寸晶圆量产超1500万片，量产工艺段覆盖至28nm。特种注入机和化合物半导体注入机出货几十台。

   公司离子注入机团队近300 人，硕士以上学历占43%。公司获得发明专利授权68项，具备高新技术企业、 博士后科研工作站等资质。

    北京烁科中科信电子装备有限公司是国内唯一一家产品门类齐全，集研发、制造、服务于一体的集成电路领域离子注入机供应商，公司的目标是成为国际一流的集成电路装备供应商和服务商。

产品展示

Product presentation

中束流离子注入机CI P900

工艺能力覆盖至28nm，具备升级14nm及更先进制程能力。可用于中低剂量掺杂和精确角度与剂量控制的工艺步骤，如阈值电压调整注入，沟道阻隔注入、晕注入、袋注入等工艺。整机完全适应大生产制造，具备自优化及自适应控制功能。双边对称扫描方式，束流均匀性高。光路结构采用三磁铁结构，离子束纯度高，能量范围大，剂量范围宽，自动引束时间短，生产效率高。

低能大束流离子注入机CI C60

（Option 80keV）、中能大束流CI C200

工艺能力覆盖至28nm，具备升级14nm及更先进制程能力。大束流离子注入机具有较大的能量范围，同时在低能段表现出色。在能量、颗粒、金属污染方面满足先进工艺需求，拥有高效的晶圆传输与扫描系统，保证了高效的WPH和工艺覆盖能力。

高能离子注入机 CI E8000

设备主要用于逻辑和存储器件、成像器件、功率器件的注入工艺，设备不仅具有稳定性高、注入参数控制精度高、注入均匀性与重复性好的优点，而且覆盖范围十分广泛。

主要特点：“高性能长寿命离子源；束流能量高，能量范围大，能量纯度高，注入流强大，束流传输效率高，单电荷离子≥2MeV等”

批靶大束流离子注入机

CI-S0400MBR06CF是一款针对SmartCut工艺研发的专用型设备。该机型针对压电材料的特殊性及SmartCut的工艺特殊要求做了针对性的设计，可应用于铌酸锂、碳酸锂、硅等材料晶圆的氢注入或氦注入，满足相应材料薄膜制备需求。

高温高能离子注入机 

CI-S0400ASH06BF-01主要面向SiC晶圆的热注入工艺要求。该型号设备是我公司为满足SiC热注入迭代开发的第三代设备，相对前两代设备，其离子源使用寿命、设备稳定性等都有了极大的提升，可满足SiC各型器件的注入工艺需求。

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