纯国产！紫光SSD开始批量出货！
随着数据的爆炸式增长，使得市场对于存储芯片的需求也呈高速增长的态势。然而，中国市场的存储此前几乎100%依赖于进口。不过，近年来，随着国家的大力支持以及国产存储企业的努力，目前国产NAND FLASH以及DRAM均实现了0的突破。去年，紫光国芯（已更名为紫光国微）就已经实现了DDR4内存内存模组的量产供货，紫光集团旗下的的长江存储的32层NAND FLASH就已成功实现量产，而现在紫光的SSD也已批量出货。
纯国产紫光SSD批量出货
据中关村在线报道，2019年，纯国产紫光SSD开始出货，SATA和NVMe两种类型各有一款产品 ，目前为止中关村在线已经拿到这两款产品，后续将会进行测试。
（图片来源：中关村在线）
此次出货的SATA以及NVMe两款SSD在容量方面均支持从128GB到1TB版本四种选择，在主控方面采用了国产主控，闪存颗粒方面是紫光的64层3D NAND TLC颗粒（中关村原文是64层，不过目前紫光的64层3D NAND应该没有量产，所以应该是32层），也是目前市场主流的水准，紫光量产即达到这样的水平，起点不低。
从目前的曝光的产品信息来看，此次采用的晶圆很大概率上为紫光原厂切割封装，在设计制造等方面均实现国产，具体信息还有待紫光方面的具体确认。
至于紫光的SSD性能，去年网上曾曝光过还处于样品阶段的紫光SSD的CrystalDiskMark测试数据。从数据来看，当时紫光SSD在Seq Q32T1/Seq场景下最大的读写速度均达到500MB/s以上，在4K随机读写速度上分别在39MB/s和160MB/左右。
▲紫光SSD测试数据
▲三星850 EVO 1TB SSD测试数据
三星970EVO plus测试数据
紫光SSD的这个成绩要略优于三星2016年推出的基于48层TLC颗粒的新版850 EVO 1TB SSD。当然，与三星今年新推出的96层TLC颗粒的入门级NVMe SSD产品——三星970EVO plus的性能相比仍有很大差距。
国产存储产业面临的挑战
当前，随着数据的爆炸式增长，使得市场对于存储芯片的需求也呈高速增长的态势。目前在存储器市场上，韩国的三星与SK海力士两家公司都占据了相当大的市场占有率。其中，仅三星一家就能达到全球DRAM市场的46%、NAND Flash市场的39%。而SK海力士则是拥有全球DRAM市场的29%比率、NAND Flash市场的15%市占率。
而作为全球最大消费类电子市场之一，不论DRAM还是NAND Flash等存储器，中国市场此前基本上100%都依赖于进口。这也使得中国发展国产存储产业的需求也最为迫切。
在国家及各地政府的支持下，近几年国产存储产业发展迅猛，目前紫光集团旗下的长江存储的32层3D Nand Flash的成功量产，合肥长鑫的DRAM很快也有望进入量产。显然，随着国产DRAM及Nand Flash的量产上市，必将对三星、海力士、美光等存储大厂造成冲击。
据韩国产业技术振兴院预测，在2022年时会因为中国竞争的影响，韩国企业将减少78亿美元的存储器的销售金额。在DRAM市场上，2022年韩国企业预计销售金额为695亿美元，如果中国公司加入竞争，则出口金额将降低到628亿美元，减少67亿美元。在NAND Flash市场上，2022年韩国企业预计销售金额为376亿美元。而在中国企业加入竞争后，则可能降至365亿美元，减少11亿美元。
从上面的分析数据来看，相对于韩国企业在存储领域的1071亿美元的营收来看，四年后，国产存储企业从韩国企业手中所能抢下的市场也仅有78亿美元。足见国产存储产业与韩国存储产业差距之大。
另外，在NAND存储技术层面，三星、SK海力士、美光的96层堆栈的3D NAND基本都已量产，并且早已进入128层堆栈的3D NAND的研发，而国内长江存储去年年底量产的是32层3D NAND，今年才会量产64层3D NAND，技术上仍有两代左右差距。
在DRAM内存技术方面，三星、美光也是大幅领先国内厂商。比如今年1月，三星就推出了一款超高性能高端DRAM，以18Gbps(1Gbps意味着每秒10亿比特的转移速度)批量生产16GB(GD)GDDR6 DRAM，这是世界上最高速度的DRAM。而国内已有的产品只有紫光国微的DRR4内存，单条容量4GB左右。另外在制造工艺上，三星已经将10nm的技术应用于DRAM之中，国内还处在28nm的阶段，仅工艺上就起码落后了2年多的时间。
另外，面对国产存储厂商的快速发展，三星、SK海力士、美光等厂商也是严正以待，期望通过扩大产能、降低价格以及技术专利封锁等多角度来进行围堵。
三星2017年不仅完成了全球最大的NAND Flash工厂，还投资140亿美元，预计将位于韩国平泽市的2期NAND Flash工厂，改成DRAM工厂，建成后预计也是全球最大的DRAM工厂之一。此外，三星去年还宣布将在2019年进一步扩大NAND闪存投资，由2018年的64亿美元增至2019年的90亿美元。业界普遍认为三星的巨额投资计划是在捍卫其在市场中的主导地位。
SK海力士方面则不仅参加了2017年对东芝NAND Flash业务的竞标，还在中国无锡工厂继续投资36亿美元，建设新的DRAM工厂。SK海力士还计划在2022年之后的十年之内斥资120万亿韩元（约为1000亿美元），于韩国龙仁市建造四座半导体工厂。
美光在2017年之时，也层宣布将在未来两三年内投资20亿美元升级日本广岛的DRAM工厂。去年，美光还宣布将在未来12年内投资30亿美元扩建美国弗吉尼亚工厂。此外，在2017年，美光就以专利侵权为由起诉了国产DRAM厂商福建晋华，随后事件进一步升级，最终迫使晋华停摆。
显然，国产存储产业快速发展的同时，国外存储巨头也在加速，国产存储产业要想真正崛起，仍有相当长的一段路要走。当然，我们也并不能因为目前存在的巨大差距就妄自菲薄，毕竟我们已经成功实现了从0到1的突破，这也是最为关键和困难的一步。未来，凭借国产存储厂商的努力以及中国的庞大的市场优势，中国存储产业终将崛起。
编辑：芯智讯-林子
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