喜讯 | 北大两项成果入选2017“中国高等学校十大科技进展”
编者按
2017年12月26日,由教育部科学技术委员会组织评选的2017年度“中国高等学校十大科技进展”在京揭晓。北京大学龚旗煌教授“非对称微腔光场调控新原理研究”与彭练矛教授“5纳米碳纳米管CMOS器件”两项成果入选,获奖数位列全国第一。
2017年度“中国高等学校十大科技进展”入选项目名单
龚旗煌
1964年8月出生,理学博士,教授,中国科学院院士。现任北京大学党委常委、副校长。担任北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室主任(2001年4月-2017年3月)、学术委员会主任(2017年3月至今),国际光学委员会(ICO)副主席(2017年8月至今),中国科协九届常务委员,中国光学学会理事长,中国物理学会副理事长。
研究成果分别发表在《科学》和《物理评论快报》上,得到国际学术界广泛关注,被Phys.org和ScienceDailey等十余家国际科技媒体专题报道,标志着我国微腔光学研究达到了一个全新高度。
1962年生,北京大学信息科学技术学院“长江学者奖励计划”特聘教授、博士生导师,电子学系主任。1982年毕业于北京大学无线电电子学系,1988年获美国Arizona State University 博士学位。主要研究方向为:纳米电子及功能材料的合成;基于纳米材料的高性能电子、光电子器件的制备,器件物理,纳米集成电路的实现和系统集成;纳米器件在化学、生物传感及能源方面的应用。曾获国家自然科学二等奖、全国创新争先奖。
芯片是信息时代的基础与推动力,现有CMOS技术将触碰其极限。碳纳米管技术被认为是后摩尔时代的重要选项。理论研究表明,碳管晶体管有望提供更高的性能和更低的功耗,且较易实现三维集成,系统层面的综合优势将高达上千倍,芯片技术由此可能提升至全新高度。北京大学电子学系彭练矛教授团队在碳纳米管CMOS器件物理和制备技术、性能极限探索等方面取得重大突破,放弃传统掺杂工艺,通过控制电极材料来控制晶体管的极性,抑制短沟道效应,首次实现了5纳米栅长的高性能碳管晶体管,性能超越目前最好的硅基晶体管,接近量子力学原理决定的物理极限,有望将CMOS技术推进至3纳米以下技术节点。
❄❄❄
来源:教育部网站、北京大学科研部、信息科学技术学院网站、北大官网
编辑:郑方圆
图片:靳戈、王天天
排版:Calley
本文转载自北京大学微信公众号