美国应用材料:选择性发射极技术加快提效降本
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太阳能光伏的使命,降低电力成本,加快可再生能源发展,保护生态环境。应用材料通过提供整合了技术、设备和材料的低成本高效益解决方案,提高工厂生产力和电池效率,加速光伏技术在全球的采用。
什么是选择性发射极?
和标准电池同质发射极区需要折衷相比,选择性发射极消除了这些区域,且具有区域较低掺杂浓度帮助减少复合、发射极较高掺杂浓度改善欧姆接触等的特点。
选择性发射极的建模设置,使得实际效率增益可达到 0.4–0.7%。
和传统的电池工序相比,选择性发射机的制作方法在原有的步骤基础上添加了:丝印选择性发射极、激光掺杂、回蚀(掩膜形成、磷硅玻璃与发射极回蚀清洗)、离子注入(全面注入、掩膜注入、氧化退火)。
丝网印刷选择性发射极的工艺方法包括:在硅片上丝印、单工序扩散工艺、选择性发射极区形成、去除磷硅玻璃和抗反射层沉积。
选择性发射极工艺的器件设计中,选择性发射极线宽≤ 250 µm,银线≤ 100 µm,触指间距 1.9-2.3mm。其触指间距为最佳填充系数和较少阴影而设计,触指数量为发射极R(表面)而优化;N++掺杂带来底接触电阻,N+深层扩散带来更高蓝光相应;发射极线宽为对准误差和最小阴影损失而设计,丝网空隙的优化带来对印刷选择性发射极线宽的控制。
在选择性发射极工艺的实施中“扩散”这一步骤尤为重要!针对区域发射极和选择性发射极的扩散,如未能优化,会降低电池效率。发射极扩散是高效电池制造的关键,针对蓝光响应的优化:低表面浓度 大约100 Ω/sq,触指下较高的掺杂实现较低 的方块电阻大约65Ω/sq。
扩散如未能优化则会导致不良填充系数,形成低电流和电压。扩散优化包括:有限的多晶硅热积存;调整以使蓝光响应达到最大,满足高掺杂发射极区域的需求,实现欧姆接触 ,高填充系数。
正面氮化硅是选择性发射极工艺实施中的关键点,如果未针对反射率优化钝化,则会导致电池不能实现选择性发射极的全部增益。低反射率是最大程度提高电池效率的关键要求。如果钝化未被优化,则选择性发射极的Isc和Voc增益将较少,优化的钝化层厚度很薄,以实现良好填充系数和欧姆接触(折射率2.05-2.10)。
最后贴上应用材料的解决方案:
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