当设备厂商参与到TOPCon与HJT路线之争…

后 PERC时代，TOPCon 和 HJT的路线之争中哪些设备厂商获益？

TOPCon 技术是 PERC 电池片技术延伸，属于第 2.5 代电池片。HJT 电池 属于第 3 代技术路线。TOPCon 电池的转换效率要高于 P型 PERC单晶电 池，但是低于 HJT 电池效率，属于中间产物。

TOPCon 为过渡路线，可从 PERC电池片产线升级，捷佳布局领先

TOPCon 技术原理为：在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺 杂的多晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。该结构为硅片背面提供 了良好的表面钝化，超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻 挡少子空穴复合，进而电子在多晶硅层横向传输被金属收集，从而极大地 降低了金属接触复合电流，提升了电池的开路电压和短路电流。

TOPCon 捷佳布局领先：TOPCon 工艺技术的升级所需要的核心设备为 LPCVD，目前国内龙头生产厂家为捷佳伟创，公司有望充分受益于 TOPCon 扩产带来的订单增长。从 PERC 产线升级至 TOPCon 工艺，需 要增添的设备价值量约 1.5 亿/GW左右。

TOPCon 尽管进行了钝化接触，但由于是同质结，因此其 Voc 极限仍不高。HJT 对 TOPCon 属于降维打击，优势明显。我们预计 2020 年~2022 年 TOPCon 有望迎来扩产高峰。

HJT有望成为下一代主流电池片技术，迈为布局领先

HJT 的技术原理为：以 N 型单晶硅(c-Si)为衬底光吸收区，经过制绒清洗 后，其正面依次沉积厚度为 5-10nm 的本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H)和掺杂的 P 型非晶硅(p-a-Si:H)，和硅衬底形成 p-n 异质结。硅片的背面又通过沉积 厚度为 5-10nm 的 i-a-Si:H和掺杂的 N型非晶硅(n-a-Si:H)形成背表面场，双面沉积的透明导电氧化物薄膜(TCO)不仅可以减少收集电流时的串联电 阻，还能起到像晶硅电池上氮化硅层那样的减反作用。最后通过丝网印刷 在两侧的顶层形成金属基电极。

国内厂商对 HJT技术不断探索：2011~2014 年，上澎、塞昂、国电等厂商 进行了 HJT 量产的初步尝试；2015~2018 年，中智、晋能、汉能、钧时不 断探索 HJT 效率和成本的边界；2019 年，汉能打破 HJT 效率世界纪录。

2019 年 10 月 10 日，REC 宣布其位于新加坡的 600MW 异质结电池 与组件产线开始量产。此次新增 600MW 异质结电池组件产能，将推升 REC总组件产能至 1.8GW。该 600MW异质结产线总投资 1.5 亿美元，由 Meyer Buger 提供核心设备和技术方案，生产出的 60 片电池组件的峰值功 率达 380 瓦，组件转化效率达 21.7%，预计电池片转化效率超 24%。该生 产线的投产有望大力推动 HJT电池在全球范围内的量产化进程。

HJT 有望进入 GW 级量产期：目前全进口 HJT 产线成本约 10 亿元/GW， 通威与捷佳合作试生产线成本约为 7~8 亿元/GW，迈为与通威合作产线的 成本约为 6 亿元/GW。随着国产设备的成熟量产，HJT 产线成本有望实现 快速下降。截至 2018 年底，国内 HJT 光伏组件装机容量约 1GW，2019 年有望达 3GW，并于 2021-2023 年间扩大到 10GW左右。

HJT生产线核心设备有望近期实现国产化：HJT 的 4 大工艺步骤 “制绒清 洗、非晶硅薄膜沉积、TCO 制备、电极制备”， 对应的设备分别为清洗制绒设备、CVD 设备（PECVD 为主、HWCVD 较少）、 PVD/RPD 设备、丝 网印刷设备。

由于 HJT 单工艺步骤难度较大， HJT 设备投资额和价值量相较现有技术产 线大幅增加，行业内若有公司能率先形成技术突破，其市占率有望得到快 速提升。

目前迈为股份已向通威提供 250MW 整条 HJT 产线设备，捷佳伟创也有望 在年底形成整条产线供应的能力。

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来源：未来智库

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