再次招募！浙大杭州科创中心宽禁带半导体材料与器件专项等您来

浙大杭州科创中心宽禁带半导体材料与器件平台正在加快推进建设中，经前段时间的“宽禁带半导体材料与器件专项”全球招聘计划，已经有许多优秀的科研工作者加盟平台团队。（点击这里了解更多关于浙大杭州科创中心宽禁带半导体材料与器件专项资讯）

随着平台建设工作的推进，第三批招聘即将开始！本次将启动：“青年人才卓越计划—宽禁带半导体材料与器件专项”和“博士后研究人员招收计划—宽禁带半导体材料与器件专项”。我们期待和优秀的您，一起为解决我国宽禁带半导体领域“卡脖子”问题贡献力量！

本次招聘的重点引进方向、招聘要求以及福利待遇如何？话不多说，一起来了解下。

重点引进方向

1.宽禁带半导体材料及装备（碳化硅、氮化镓、氧化镓、氮化铝和金刚石等）；

2.宽禁带半导体器件（基于碳化硅和氮化镓等材料的功率器件、射频器件、芯片集成技术及其他相关技术）；

3.封装测试和应用（功率器件、射频器件及其他器件相关的封装、模块集成、测试技术和应用技术）。

青年人才卓越计划

宽禁带半导体材料与器件专项

一、申报条件

1.具有远大学术志向、创新精神、较强科研能力和社会责任感；

2.具有博士学位，年龄原则上不超过35周岁，特别优秀者年龄可适当放宽；

3.具有物理、材料、微电子、电气工程、化学等方向坚实的专业基础和较深的学术造诣，对宽禁带半导体材料与器件研究领域有足够的学科背景支持和较好的研究积累与想法，从事过交叉学科研究者优先考虑；

4.具备以独立PI开展研究工作的能力；

5.有宽禁带材料与器件领域院士或国际知名专家推荐者优先考虑。

二、待遇及保障条件

1.提供有竞争力的薪酬保障（一人一议），符合条件的人才可同步享受杭州市和萧山区相应的人才政策；

2.为入选者及其团队成员提供人才公寓，符合条件者可享受杭州科创中心人才房政策；

3.提供首期（3年）300-500万元的科研资助（可持续滚动资助）；

4.提供150m²左右的办公实验空间；

5.提供“专人一站式”服务，共享科研平台大型仪器设备；

6.入选者中科研业绩突出且符合浙江大学人才标准的，可推荐聘至浙江大学；

7.入选者符合杭州市高层次人才标准的，可协助解决子女入园入托问题。

三、申请材料

申请材料包括：

①《浙江大学杭州国际科创中心青年人才卓越计划申报表》（见附件）；

②代表性成果附件（如：期刊和会议论文、专著、授权发明专利、会议特邀学术报告等）。

申请人将以上材料电子版发送至杭州科创中心指定邮箱，附件和邮件主题均以“青年人才卓越计划岗位+姓名”标明。

扫描下方二维码获取青年人才卓越计划申报表（宽禁带半导体专项）

博士后研究人员招收计划

宽禁带半导体材料与器件专项

一、申报条件

1.近三年内获得博士学位，品学兼优，身体健康，原则上不超过35周岁；

2.保证全职从事博士后研究工作，不招收在职人员；

3.具有物理、材料、微电子、电气工程、化学等学科背景和科研经验，从事过交叉学科研究者优先考虑；

4.具有良好的团队合作意识和较强的独立工作能力；

5.具有良好的英语听说读写能力；

6.近三年内以第一作者发表1篇以上有一定影响力的研究论文，研究成果突出者优先考虑。

二、待遇及保障条件

1. 提供有竞争力的市场化薪酬，符合条件的人才可同步享受杭州市和萧山区相应的人才政策；

2.提供萧山区人才公寓或杭州科创中心公寓；

3.提供一流的实验与科学研究条件；

4.参与杭州科创中心重大课题研究并取得显著成绩的，可获得额外资助或津贴；

5.在站期间，符合条件者可申报杭州科创中心相关系列高级专业技术职务；

6.工作期间表现优秀、业绩突出者，如符合相应要求，可优先推荐申请浙江大学教师岗位或杭州科创中心技术研发岗位；

7.入选者符合杭州市高层次人才标准的，可协助解决子女入园入托问题。

三、申请材料

申请材料包括：

①《浙江大学杭州国际科创中心博士后申请简表》（见附件）;

②表明研究能力和学术水平的成果（如获奖情况、鉴定、项目、学术论文等）及佐证材料；

③博士学位论文。

申请人将以上材料电子版发送至杭州科创中心指定邮箱，附件和邮件主题均以“博士后岗位+姓名”标明。

扫描下方二维码获取《浙江大学杭州国际科创中心博士后申请简表》

联系人：杨老师

电话：[phone]

邮箱：[e-mail]

地址：浙江省杭州市萧山区建设三路733号浙江大学杭州国际科创中心

本文编辑：陈小兵 罗浩强

责任编辑：吴瑶瑶

审核：王恩禹

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