低温金属互补氧化物半导体CMOS是近年来一项新兴的量子比特测量与控制技术，通过将电子学量子测控系统以主流CMOS技术单片集成，并工作在低温（1~4K）温区，其主要目的是为了解决量子比特的规模化问题。当前的低温CMOS技术研究，大多集中在如何实现高质量的微波脉冲激励。然而，高保真度的并行量子态读取，面临诸多技术难题，例如低温器件热传递、CMOS器件的低温热/闪烁噪声、单脉冲读取中的相位噪声等，尚未被充分认识和研究。本报告将讨论主流的芯片化反射测量方案存在的优点和不足，并介绍本研究组在反射测量单元和阵列方面的最新研究进展。
1）日期和时间：2023年2月7日（周二）14:00北京量子院526会议室
腾讯会议Tencent Meeting ID：606406233 PW：105188
3）报告人：王成 电子科技大学电子科学与工程学院教授、中微达信公司首席科学家
王成，电子科技大学 电子科学与工程学院教授/博导，国家青年人才。2008年本科毕业于清华大学工程物理系；2011年硕士毕业于中国工程物理研究院研究生部；2020年博士毕业于美国麻省理工学院(MIT)电气工程与计算机科学系。2011-2015年，担任中国工程物理研究院电子工程研究所助理研究员；2019-2020年，担任美国亚德诺半导体(ADI)研究科学家；2021年2月，加入电子科技大学电子科学与工程学院。王成教授所提出的芯片级分子时钟作为封面文章发表于2018年7月的Nature子刊Nature Electronics，被MIT新闻等媒体报道，并被美国国防部先进技术发展局DARPA作为下一代可移动高稳定时钟项目H6的两大技术路线之一。2022年以来，王成教授课题组在低温CMOS领域取得一系列进展。在有着集成电路领域国际奥林匹克之称的国际固态电路会议(ISSCC)上发表4篇论文，在领域旗舰刊物IEEE固态电路杂志(JSSC)发表6篇论文。截至目前，共发表学术论文51篇， Google scholar引用达1003次，H-index为17，i10-index为27。国外学习期间，曾荣获2019-2020年度IEEE固态电路协会博士前成就奖，2018年度留学基金委国家优秀自费留学生奖学金，MIT微系统实验室优秀博士论文奖（2名/年），ADI杰出学生设计奖，2018年ISSCC学生旅行奖和IEEE MTT-S波士顿分会奖学金等奖项。国内学习工作期间，主要从事高速通信技术及毫米波/太赫兹高频组件研究，曾获得军队武器装备科技进步一等奖和邓稼先青年科学家奖等奖项，研究成果曾参加“十一五”863重大科技成果展。每周一到周五，我们都将与光子盒的新老朋友相聚在微信视频号，不见不散！