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文献解读 || Ceramic International: NBT-BZT单晶温度诱导相变机理

梦醒时分 科学指南针服务平台 2022-07-09



目前广泛使用的压电材料为PZT以及PMN等一系列含铅的材料,其在制备、使用和加工过程中会对环境造成污染,因此学术界一直在致力于无铅压电材料的研究。


目前无铅压电材料主要有NBT系列以及KNN系列,而相比于制备工艺简单的多晶陶瓷而言,单晶的性能更加优异。


近日,中国科学院上海硅酸盐研究所在NBT系列单晶研究方面取得了一系列进展,其成果Temperature-induced phase transition of <001>-oriented0.92Na0.5Bi0.5TiO3-0.08Bi(Zn0.5Ti0.5)O3 lead-free single crystals发表在著名杂志《ceramic international》。


摘要

利用顶部籽晶生长法(TSSG)成功生长出了组分在准同型相界(MPB)的NBT-BZT单晶,并且研究了其温度诱导的相变行为,利用介电性能与温度的关系,以及不同温度下的拉曼光谱,分析得到:随着温度升高,NBT-BZT单晶依次发生三方-单斜-四方相。
研究背景

目前的无铅压电材料NBT系列主要为NBT-BT以及NBT-KBT,NBT基压电材料有较高的居里温度,有望取代含铅的PZT而得到商业应用。而有文献报到:将BZT与NBT复合,可发生B位取代,进而提高NBT的压电性能。
以前的研究也表明,压电材料的压电性能与局域晶格结构有关,受温度影响较大。因此,研究压电性能随温度的变化关系有着重要的作用。与多晶陶瓷相比,单晶各方面性能更好,且晶格结构更规则,有利于研究无铅压电材料高压电性能的结构起源。
拉曼光谱对微观结构变化比较敏感,可用于研究压电材料的相变行为。
在本论文中,利用拉曼光谱研究了NBT-BZT单晶的温度诱导相变行为,并与铁电畴的变化相结合,共同理解其相变。
研究结果


上图a为NBT三方相结构图,其中Na和Bi离子占据A位,而b图为BZT四方相结构,其中Ti和Zn离子无序的分布在B位。随着BZT含量的增加,NBT-BZT单晶的晶格结构为三方相和四方相的混合结构,类似于PMN-PT以及NBT-BT。

上图a为NBT-BZT单晶的粉末衍射图,从图中的衍射峰来看,其为纯的钙钛矿结构。b图为分裂的(200)衍射峰的高斯拟合图,图中有三方相的(200)峰以及四方相的(002)和(200)峰。
三方相的单峰和四方相的双峰结果表明,其为三方相四方相的混合相,因此此组分为准同型相界。而此相界处,晶体往往具有较高的压电性能。

上图为极化后的NBT-BZT单晶介电常数-介电损耗-温度关系曲线。从图可知,单晶的Tm为328℃,对于四方相变温度;而三方-单斜相变温度为Td=200℃。
极化后的NBT-BZT单晶压电常数为127pC/N,Pr为38.5μC/cm2和75.2kV/cm。
研究微观结构较为有利的工具为拉曼光谱。下图为NBT-BZT单晶室温下的拉曼光谱以及拟合曲线。

从上图可知,140cm-1处的峰(A)对应的钙钛矿结构A位离子的振动,而200-400cm-1区域内的峰(B1  B2  B3)对应Ti-O振动,而更高频率的峰(C1  C2  C3  C4)对应O位移。

上图为不同温度下的拉曼散射图。晶体结构的变化可看作不同拉曼峰的变化。随着温度的增加,对应A位离子位移的A模逐渐消失,B2模的强度降低,这是由于B位离子偏离中心位置而导致角度变化。
而200℃以下,温度升高,C1模向低频率移动,且C3和C4模强度降低,此为三方相的特征。随着温度升高,C1和C2模强度比降低,此为极性纳米微区受热变化特征。
根据群论以及钙钛矿的拉曼散射结论,四方相的拉曼模比三方相更明显。因此,当温度高于320℃时,NBT-BZT的拉曼模式更多,证实了其处于四方相。

上图为NBT-BZT单晶不同温度下的畴结构。若P/A对平行或垂直于畴的偏振方向,则发生消光现象。当P/A对沿着(100)取向,则从a图中可明显观察到(110)取向的畴,其宽度低于20μm。
从d图可知,当P/A对与赝立方(100)方向夹角θ为45°时,很难观察到畴结构,表明NBT-BZT室温下为三方相畴结构。当温度升高至250℃,无法观察到消光现象如b图。
如e图θ为0和45°,此时NBT-BZT为单斜相。当温度为350℃,如图c,θ为0°时发生消光现象。在图f中,可观察到畴结构为四方相。畴结构的变化表明,随着温度的升高,晶格结构为三方-单斜-四方结构,此结果与拉曼光谱一致。

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