光催化 || 缺陷光催化半导体光催化剂的制备以及表征

文献介绍： 

DOI：10.1002/adfm.202100919

通讯单位：中国地质大学材料科学与技术学院

作者：Lin Hao（第一作者）和Hongwei Huang（通讯作者）

注：本推送主要介绍简单介绍目前缺陷光催化半导体光催化剂的制备以及表征，具体的内容可查看正文：10.1002/adfm.202100919缺陷的形成以及表征

缺陷的形成

已经开发了许多方法来在光催化材料中产生氧缺陷（OVs），例如热处理、化学还原、紫外光照射和离子掺杂，所有这些方法都可以诱导氧原子从晶体结构中逸出。

在一些合成或处理策略中可能需要苛刻的条件，而光催化剂中的OVs浓度可以通过控制反应条件或参数来很好地调节，从而调节光催化性能。

1. 高温煅烧：可以控制温度，气氛以及时间和压力

在各种气氛下高温煅烧光催化剂会导致表面原子剧烈振动，同时表面晶格中的氧容易扩散和溢出。

2. 化学还原：可以控制还原剂强弱、时间

在相对较低的温度下，催化剂通过还原剂(如硼氢化钠、乙二醛、乙醇、H₂O₂等)的化学还原引起晶格中的OVs。

在该过程中，还原剂分子首先位于样品表面，然后通过电子迁移过程更容易抓取O原子，从而产生OVs。

3. 离子掺杂：可以控制离子掺杂类型、掺杂浓度

通过调整光催化材料的化学成分，离子掺杂也可以产生OVs。低价态掺杂离子通过取代原始原子破坏了晶格氧的长期周期顺序，随后氧原子出现以重新平衡电荷。

4. 紫外激发：可以控制光强和时间

紫外光照射作为一种物理方法，是一种简单方便的构建OVs的策略，该策略将得到补充并形成足够的光控表面OVs的形成。

缺陷的表征

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