科学家故事 | 邹元爔：矢志不渝攀高峰 科技强盛兴中华

邹元爔院士是上海微系统所第二任所长，他致力于提高砷化镓材料质量和进行缺陷的深入研究，从冶金学的热力学宏观观点来研究结构缺陷，提出砷化镓结构缺陷模型的新理论。1975年，邹元爔院士在沈阳参加上海冶金所、东北工学院、沈阳冶金厂联合会议，讨论砷化镓三方会战时写下的一首小诗。从诗中，可以深刻地感受到邹先生当时面对新的攻关任务时激荡的心情与昂扬的斗志。

参加沈阳砷化镓三方会战

邹元爔

三方壮士誓擒王，奋战辽东喜夜长。

老骥也怀千里志，那因明月便思乡。

砷化镓是重要的化合物半导体材料。由于化合物半导体材料具有硅材料所没有的光学性质，在激光、发光、光通讯和太阳能电池等方面有广泛的应用，引起各国科学家的强烈兴趣。在上世纪60年代中期，邹元爔院士带领团队致力于化合物半导体材料的研究，研制成功砷化镓、锑化铟、磷化铟等多种化合物半导体晶体材料，性能均名列国内前茅。为实现化合物半导体晶体的高纯度生长，邹元爔院士对工艺进行了细化改进，该工艺在1983年获得国家发明三等奖和1985年国家科技进步二等奖。

邹元爔院士在砷化镓研究中倾注了大量的心血，甚至被关入“牛棚”时，满心想的还是研究，将自己的思考写成了100多页的《砷化镓材料的三个关键问题》。1972年，邹先生在家里突然心脏病发作，被送进了中山医院。他知道自己心脏病已经十分严重，但出院之后更加卖力投入研究工作。后来，为了专心研究砷化镓材料，1974和1976年邹元爔院士又先后两次动员研究室人员到沈阳冶炼厂搞科研会战。开头的这首诗歌正是在当时写下。

那时沈阳的生活相当艰苦，他每天很早起床挤公共汽车，带头与工人一样啃窝窝头、吃高粱米饭。有人问过他，何苦要上东北呢？他含着泪水说：“我的科研生命不长了，在东北我能集中精力好好工作。”在邹元爔院士亲自参加和指导下，砷化镓水平单晶纯度大幅提高，1976年电子迁移率超过了日本的水平。此时已临冬天，他坚持继续做实验，宿舍里没有暖气，他裹起毯子照样写东西。这种勤勤恳恳工作，不为名、不为利，乐此不疲地搞科研的精神令人动容，大家都从心里佩服他、支持他。

邹元燨院士克服现实中的重重困难，一心投入科学研究，将冶金物理化学的原理应用于研制高纯金属，继而又延伸到半导体材料和器件的制备中，并进一步探索半导体材料中点缺陷本性等，建立原创性基础理论，在开拓半导体物理化学征途上实现了“三步跳”，特别是在半导体深能级缺陷领域建立起以中国人命名的理论和模型——砷化镓材料中EL2缺陷的“邹氏模型”，为我国在国际上树立半导体材料的学术地位作出了重大贡献。

现在正是一万年太久，只争朝夕的时候。我愿以有生之年，立志做一名献身四化、献身共产主义伟大理想的战士而奋斗终身。

     ——摘自邹元爔1980年3月《入党志愿书》

几十年如一日的科研生涯中，邹元爔院士始终以满腔的热情站在冶金化学研究领域的最前沿，把眼前的工作与国家长远发展结合起来，不断提出具有战略意义的建议。他的创新胆识和前瞻性的战略眼光，都是基于他深厚的科学素养、跨学科理解能力和长期严谨治学、深入科研生产一线积累的经验。老一辈科学家高尚的品德和矢志不渝的科学家精神，激励着广大青年科技工作者们在加快抢占科技制高点的进程中奋勇前行！

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来源 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所