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【精彩论文】压接型IGBT均流设计
引文信息
刘国友, 窦泽春, 罗海辉, 等.压接型IGBT均流设计[J].中国电力, 2019, 52(9): 20-29.LIU Guoyou, DOU Zechun, LUO Haihui, et al. Current-sharing design of press-pack IGBT[J]. Electric Power, 2019, 52(9): 20-29.
内容摘要
针对压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)内部均流设计,对多芯片压接结构及其压力均衡、压接型IGBT芯片内部均流、子单元间均流等方面进行了研究和优化设计。试验验证了压接型IGBT具有良好的电流关断能力、短路电流能力及反偏安全工作区,器件内部均流状态较好。
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编辑：杨彪
审核：许晓艳
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